4N33M. Antal terminaler: 6. CTR: 500 %. Courant IF Diode (peak): 3A. Diode IF: 80mA. Diode Power: 150mW. Diode tærskelspænding: 1.2V. Driftstemperatur: -55...+100°C. Funktion: Fototransistorudgang, med basetilslutning. Hus (i henhold til datablad): DIP-6. Hus: DIP. Kollektor/emitterspænding Vceo: 60V. Kollektorstrøm: 50mA. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 1V. Minimum hFE-forstærkning: 5000. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort. Pd (Strømafledning, maks.) ): 150mW. RoHS: ja. Spec info: ton 5us, toff 100us. Udgang: darlington transistor udgang. VECO: 5V. VRRM: 5300V. Vcbo: 100V. Originalt produkt fra producenten: ON Semiconductor. Antal på lager opdateret den 06/11/2025, 22:14