P-kanal transistor, 0.46A, 10uA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 25V - FDV304P

P-kanal transistor, 0.46A, 10uA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 25V - FDV304P. P-kanal transistor, 0.46A, 10uA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 25V. ID (T=25°C): 0.46A. Idss (maks.): 10uA. Hus: SOT-23 ( TO-236 ). Hus (i henhold til datablad): SOT-23 ( TO236 ). Spænding Vds (maks.): 25V. RoHS: ja . C (i): 63pF. Omkostninger): 34pF. Kanaltype: P. Afløbskildebeskyttelse: ja . Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): overflademonteret komponent (SMD) . Type transistor: MOSFET. Funktion: Lavt inputladning. GS-beskyttelse: NINCS. Id(imp): 1.5A. ID (T=100°C): 0.87 Ohms @ -0.5A. IDss (min): 1uA. Mærkning på kabinettet: 304. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.35W. On-resistance Rds On: 1.22 Ohms. Spec info: Driftsgatespænding så lav som 2,5V. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Td(fra): 55 ns. Td(on): 7 ns. Teknologi: Enhancement Mode Field Effect Transistor . Driftstemperatur: -55...+150°C. Gate / kilde spænding Vgs: 8V. Vgs (th) maks.: 1.5V. Vgs (th) min.: 0.65V. Originalt produkt fra producenten ON Semiconductor. Antal på lager opdateret den 08/06/2025, 06:25.