IGBT transistor FGA40N65SMD-DIóDA

IGBT transistor FGA40N65SMD-DIóDA

Antal
Enhedspris
1+
101.85kr
Antal på lager: 19

IGBT transistor FGA40N65SMD-DIóDA. Antal terminaler: 3. Collector Current IC [A]: 40A. Collector Peak Current IP [A]: 60.4k Ohms. Hus (JEDEC-standard): -. Hus: TO-3PN. Indkoblingstid ton [nsec.]: 16 ns. Kollektor-emitterspænding Uce [V]: 650V. Komponentfamilie: IGBT transistor med indbygget højhastigheds friløbsdiode. Konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort. Maksimal dissipation Ptot [W]: 174W. Max temperatur: +175°C.. Portnedbrudsspænding Ugs [V]: 6V. Producentens mærkning: FGA40N65SMD. RoHS: ja. Slukningsforsinkelse tf[nsec.]: 120ns. Originalt produkt fra producenten: Onsemi. Antal på lager opdateret den 06/11/2025, 09:45

Teknisk dokumentation (PDF)
FGA40N65SMD-DIóDA
15 parametre
Antal terminaler
3
Collector Current IC [A]
40A
Collector Peak Current IP [A]
60.4k Ohms
Hus
TO-3PN
Indkoblingstid ton [nsec.]
16 ns
Kollektor-emitterspænding Uce [V]
650V
Komponentfamilie
IGBT transistor med indbygget højhastigheds friløbsdiode
Konfiguration
Gennemgående hulmontering af printkort
Maksimal dissipation Ptot [W]
174W
Max temperatur
+175°C.
Portnedbrudsspænding Ugs [V]
6V
Producentens mærkning
FGA40N65SMD
RoHS
ja
Slukningsforsinkelse tf[nsec.]
120ns
Originalt produkt fra producenten
Onsemi