IGBT transistor FGL40N120ANDTU. Antal terminaler: 3. Antal terminaler: 3. C (i): 3200pF. CE-diode: ja. Collector Current IC [A]: 40A. Collector Peak Current IP [A]: 160A. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: UPS, AC/DC motorstyringer og invertere til generelle formål. Germanium diode: ingen. Hus (JEDEC-standard): -. Hus (i henhold til datablad): TO-264-3L. Hus: TO-264 ( TOP-3L ). Ic (puls): 160A. Ic(T=100°C): 40A. Indkoblingstid ton [nsec.]: 15 ns. Kanaltype: N. Kollektor-emitterspænding Uce [V]: 1.2 kV. Kollektor/emitterspænding Vceo: 1200V. Kollektorstrøm: 64A. Komponentfamilie: IGBT transistor med indbygget højhastigheds friløbsdiode. Konditionering: plastrør. Konditioneringsenhed: 25. Konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort. Maksimal dissipation Ptot [W]: 500W. Max temperatur: +150°C.. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort. Mærkning på kabinettet: FGL40N120AND. Mætningsspænding VCE (sat): 2.9V...3.15V. Omkostninger): 370pF. Pd (Strømafledning, maks.) ): 500W. Port/emitter spænding VGE: 25V. Port/emitterspænding VGE(th) min.: 3.5V. Port/emitterspænding VGE(th)max.: 7.5V. Portnedbrudsspænding Ugs [V]: 5.5V. Producentens mærkning: FGL40N120AND. RoHS: ja. Slukningsforsinkelse tf[nsec.]: 110 ns. Spec info: NPT-Trench IGBT. Td(fra): 110 ns. Td(on): 20 ns. Trr-diode (min.): 75 ns. Originalt produkt fra producenten: ON Semiconductor. Antal på lager opdateret den 06/11/2025, 09:45