IGBT transistor IKW25N120H3FKSA1
Antal
Enhedspris
1-1
104.14kr
2-3
93.43kr
4-5
85.15kr
6-29
77.20kr
30+
76.88kr
| Antal på lager: 7 |
IGBT transistor IKW25N120H3FKSA1. Drænkildespænding: 1200V. Effekt: 326W. Hus: TO-247AC. Indbygget diode: ja. Kollektorstrøm: 50A. Type transistor: IGBT transistor. Originalt produkt fra producenten: Infineon Technologies. Antal på lager opdateret den 06/11/2025, 09:45
IKW25N120H3FKSA1
7 parametre
Drænkildespænding
1200V
Effekt
326W
Hus
TO-247AC
Indbygget diode
ja
Kollektorstrøm
50A
Type transistor
IGBT transistor
Originalt produkt fra producenten
Infineon Technologies