IGBT transistor IKW25N120T2

IGBT transistor IKW25N120T2

Antal
Enhedspris
1+
122.56kr
Antal på lager: 348

IGBT transistor IKW25N120T2. Antal terminaler: 3. Collector Current IC [A]: 25A. Collector Peak Current IP [A]: 100A. Hus (JEDEC-standard): -. Hus: TO-247. Indkoblingstid ton [nsec.]: 27 ns. Kollektor-emitterspænding Uce [V]: 1.2 kV. Komponentfamilie: IGBT transistor med indbygget højhastigheds friløbsdiode. Konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort. Maksimal dissipation Ptot [W]: 349W. Max temperatur: +175°C.. Portnedbrudsspænding Ugs [V]: 6.4V. Producentens mærkning: K25T1202. RoHS: ja. Slukningsforsinkelse tf[nsec.]: 265 ns. Originalt produkt fra producenten: Infineon. Antal på lager opdateret den 06/11/2025, 09:45

Teknisk dokumentation (PDF)
IKW25N120T2
15 parametre
Antal terminaler
3
Collector Current IC [A]
25A
Collector Peak Current IP [A]
100A
Hus
TO-247
Indkoblingstid ton [nsec.]
27 ns
Kollektor-emitterspænding Uce [V]
1.2 kV
Komponentfamilie
IGBT transistor med indbygget højhastigheds friløbsdiode
Konfiguration
Gennemgående hulmontering af printkort
Maksimal dissipation Ptot [W]
349W
Max temperatur
+175°C.
Portnedbrudsspænding Ugs [V]
6.4V
Producentens mærkning
K25T1202
RoHS
ja
Slukningsforsinkelse tf[nsec.]
265 ns
Originalt produkt fra producenten
Infineon