IGBT transistor IKW50N120CS7XKSA1
Antal
Enhedspris
1-4
209.51kr
5-9
196.86kr
10-19
192.60kr
20-49
188.77kr
50+
183.48kr
| +1 ekstra varer tilgængelige på lager (leveres inden for 4 timer). Kontakt os for priser og tilgængelighed! | |
| Antal på lager: 1 |
IGBT transistor IKW50N120CS7XKSA1. Collector Current IC [A]: 50A. Collector Peak Current IP [A]: 150A. Effekt: 428W. Emitter - Gate Voltage: ±20V. Hus: TO-247AC. Indbygget diode: ja. Kollektorstrøm: 82A. Oplade: 290nC. RoHS: ja. Samler-emitter spænding: 1200V. Spænding (samler - emitter): 1200V. Type transistor: IGBT transistor. Originalt produkt fra producenten: Infineon Technologies. Antal på lager opdateret den 06/11/2025, 09:45
IKW50N120CS7XKSA1
13 parametre
Collector Current IC [A]
50A
Collector Peak Current IP [A]
150A
Effekt
428W
Emitter - Gate Voltage
±20V
Hus
TO-247AC
Indbygget diode
ja
Kollektorstrøm
82A
Oplade
290nC
RoHS
ja
Samler-emitter spænding
1200V
Spænding (samler - emitter)
1200V
Type transistor
IGBT transistor
Originalt produkt fra producenten
Infineon Technologies