IGBT transistor STGW40NC60KD. Antal terminaler: 3. C (i): 2870pF. CE-diode: ja. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: IGBT transistor med indbygget højhastigheds friløbsdiode. Germanium diode: ingen. Hus (i henhold til datablad): TO-247AC. Hus: TO-247. Ic (puls): 220A. Ic(T=100°C): 38A. Kanaltype: N. Kollektor/emitterspænding Vceo: 600V. Kollektorstrøm: 70A. Konditionering: plastrør. Konditioneringsenhed: 30. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 2.7V. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort. Mærkning på kabinettet: GW20NC60KD. Mætningsspænding VCE (sat): 2.1V. Omkostninger): 295pF. Pd (Strømafledning, maks.) ): 250W. Port/emitter spænding VGE: 20V. Port/emitterspænding VGE(th) min.: 4.5V. Port/emitterspænding VGE(th)max.: 6.5V. RoHS: ja. Spec info: Very Fast PowerMESH™ IGBT. Td(fra): 164 ns. Td(on): 46 ns. Trr-diode (min.): 45 ns. Originalt produkt fra producenten: Stmicroelectronics. Antal på lager opdateret den 06/11/2025, 09:45