L6384ED
Antal
Enhedspris
1-4
17.33kr
5-24
15.50kr
25-49
14.25kr
50-99
13.40kr
100+
12.53kr
| +77 ekstra varer tilgængelige på lager (leveres inden for 4 timer). Kontakt os for priser og tilgængelighed! | |
| Antal på lager: 79 |
L6384ED. Antal kredsløb: 1. Antal terminaler: 8:1. Antal terminaler: 8:1. Bemærk: Stillestrøm 100uA. Driftstemperatur: -45...+125°C. Funktion: Dual High Voltage Half Bridge Driver. Hus (JEDEC-standard): -. Hus (i henhold til datablad): SO-8. Hus: SO. Komponentfamilie: MOSFET/IGBT drevkredsløb. Konfiguration: overflademonteret komponent (SMD). Kredsløbstype: Halvbro MOSFET/IGBT drevkredsløb. Max temperatur: +125°C.. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD). Pd (Strømafledning, maks.) ): 750mW. RoHS: ja. Spec info: forbedret version af L6384D. VCC: 0.3...14.6V. [V]: +16.6V/600V. Ækvivalenter: L6384ED013TR. Originalt produkt fra producenten: Stmicroelectronics. Antal på lager opdateret den 31/10/2025, 09:17
L6384ED
20 parametre
Antal kredsløb
1
Antal terminaler
8:1
Antal terminaler
8:1
Bemærk
Stillestrøm 100uA
Driftstemperatur
-45...+125°C
Funktion
Dual High Voltage Half Bridge Driver
Hus (i henhold til datablad)
SO-8
Hus
SO
Komponentfamilie
MOSFET/IGBT drevkredsløb
Konfiguration
overflademonteret komponent (SMD)
Kredsløbstype
Halvbro MOSFET/IGBT drevkredsløb
Max temperatur
+125°C.
Montering / installation
overflademonteret komponent (SMD)
Pd (Strømafledning, maks.) )
750mW
RoHS
ja
Spec info
forbedret version af L6384D
VCC
0.3...14.6V
[V]
+16.6V/600V
Ækvivalenter
L6384ED013TR
Originalt produkt fra producenten
Stmicroelectronics