NPN transistor 2N3019-ST, 1A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 80V

NPN transistor 2N3019-ST, 1A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 80V

Antal
Enhedspris
1-4
8.63kr
5-49
7.13kr
50-99
6.21kr
100+
5.67kr
Ækvivalens tilgængelig
Antal på lager: 619

NPN transistor 2N3019-ST, 1A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 80V. Kollektorstrøm: 1A. Hus: TO-39 ( TO-205 ). Hus (i henhold til datablad): TO-39. Kollektor/emitterspænding Vceo: 80V. Antal terminaler: 3. FT: 100 MHz. Halvledermateriale: silicium. Max hFE-forstærkning: 300. Minimum hFE-forstærkning: 100. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort. Mængde pr tilfælde: 1. Mætningsspænding VCE (sat): 0.2V. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.8W. RoHS: ja. Teknologi: Planær epitaksial transistor. Temperatur: +175°C. Type transistor: NPN. Vcbo: 140V. Vebo: 7V. Originalt produkt fra producenten: Stmicroelectronics. Antal på lager opdateret den 06/11/2025, 09:45

Teknisk dokumentation (PDF)
2N3019-ST
20 parametre
Kollektorstrøm
1A
Hus
TO-39 ( TO-205 )
Hus (i henhold til datablad)
TO-39
Kollektor/emitterspænding Vceo
80V
Antal terminaler
3
FT
100 MHz
Halvledermateriale
silicium
Max hFE-forstærkning
300
Minimum hFE-forstærkning
100
Montering / installation
Gennemgående hulmontering af printkort
Mængde pr tilfælde
1
Mætningsspænding VCE (sat)
0.2V
Pd (Strømafledning, maks.) )
0.8W
RoHS
ja
Teknologi
Planær epitaksial transistor
Temperatur
+175°C
Type transistor
NPN
Vcbo
140V
Vebo
7V
Originalt produkt fra producenten
Stmicroelectronics

Tilsvarende produkter og/eller tilbehør til 2N3019-ST