NPN transistor 2N3055-ONS, 15A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 70V

NPN transistor 2N3055-ONS, 15A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 70V

Antal
Enhedspris
1-4
93.52kr
5-24
84.71kr
25-49
78.42kr
50-99
73.96kr
100+
67.02kr
Antal på lager: 47

NPN transistor 2N3055-ONS, 15A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 70V. Kollektorstrøm: 15A. Hus: TO-3 ( TO-204 ). Hus (i henhold til datablad): TO-3. Kollektor/emitterspænding Vceo: 70V. Antal terminaler: 2. BE-diode: ingen. CE-diode: ingen. FT: 2.5 MHz. Funktion: Lydforstærker lineær og switching. Halvledermateriale: silicium. Max hFE-forstærkning: 70. Minimum hFE-forstærkning: 20. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort. Mængde pr tilfælde: 1. Mætningsspænding VCE (sat): 1V. Pd (Strømafledning, maks.) ): 115W. Spec info: komplementær transistor (par) MJ2955. Teknologi: epitaksial-base plan teknologi. Temperatur: +200°C. Type transistor: NPN. Vcbo: 100V. Vebo: 7V. Originalt produkt fra producenten: ON Semiconductor. Antal på lager opdateret den 06/11/2025, 09:45

2N3055-ONS
23 parametre
Kollektorstrøm
15A
Hus
TO-3 ( TO-204 )
Hus (i henhold til datablad)
TO-3
Kollektor/emitterspænding Vceo
70V
Antal terminaler
2
BE-diode
ingen
CE-diode
ingen
FT
2.5 MHz
Funktion
Lydforstærker lineær og switching
Halvledermateriale
silicium
Max hFE-forstærkning
70
Minimum hFE-forstærkning
20
Montering / installation
Gennemgående hulmontering af printkort
Mængde pr tilfælde
1
Mætningsspænding VCE (sat)
1V
Pd (Strømafledning, maks.) )
115W
Spec info
komplementær transistor (par) MJ2955
Teknologi
epitaksial-base plan teknologi
Temperatur
+200°C
Type transistor
NPN
Vcbo
100V
Vebo
7V
Originalt produkt fra producenten
ON Semiconductor