NPN transistor 2N5886, 25A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 80V

NPN transistor 2N5886, 25A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 80V

Antal
Enhedspris
1-4
63.39kr
5-24
56.68kr
25-49
52.13kr
50-99
48.63kr
100+
43.25kr
Antal på lager: 145

NPN transistor 2N5886, 25A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 80V. Kollektorstrøm: 25A. Hus: TO-3 ( TO-204 ). Hus (i henhold til datablad): TO-3. Kollektor/emitterspænding Vceo: 80V. Antal terminaler: 2. BE-diode: ingen. CE-diode: ingen. Driftstemperatur: -65...+200°C. FT: 4 MHz. Halvledermateriale: silicium. Ic (puls): 50A. Max hFE-forstærkning: 100. Minimum hFE-forstærkning: 20. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort. Mængde pr tilfælde: 1. Mætningsspænding VCE (sat): 1V. Omkostninger): 500pF. Pd (Strømafledning, maks.) ): 200W. RoHS: ja. Spec info: komplementær transistor (par) 2N5884. Temperatur: +200°C. Tf (maks.): 0.8us. Tf (min): 0.8us. Type transistor: NPN. Vcbo: 80V. Vebo: 5V. Originalt produkt fra producenten: ON Semiconductor. Antal på lager opdateret den 06/11/2025, 09:45

Teknisk dokumentation (PDF)
2N5886
27 parametre
Kollektorstrøm
25A
Hus
TO-3 ( TO-204 )
Hus (i henhold til datablad)
TO-3
Kollektor/emitterspænding Vceo
80V
Antal terminaler
2
BE-diode
ingen
CE-diode
ingen
Driftstemperatur
-65...+200°C
FT
4 MHz
Halvledermateriale
silicium
Ic (puls)
50A
Max hFE-forstærkning
100
Minimum hFE-forstærkning
20
Montering / installation
Gennemgående hulmontering af printkort
Mængde pr tilfælde
1
Mætningsspænding VCE (sat)
1V
Omkostninger)
500pF
Pd (Strømafledning, maks.) )
200W
RoHS
ja
Spec info
komplementær transistor (par) 2N5884
Temperatur
+200°C
Tf (maks.)
0.8us
Tf (min)
0.8us
Type transistor
NPN
Vcbo
80V
Vebo
5V
Originalt produkt fra producenten
ON Semiconductor