NPN transistor 2SC3074-Y, 5A, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 50V

NPN transistor 2SC3074-Y, 5A, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 50V

Antal
Enhedspris
1-4
14.71kr
5-24
12.15kr
25-49
10.97kr
50+
9.91kr
Antal på lager: 22

NPN transistor 2SC3074-Y, 5A, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 50V. Kollektorstrøm: 5A. Hus: D-PAK ( TO-252 ). Hus (i henhold til datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Kollektor/emitterspænding Vceo: 50V. Antal terminaler: 2. Bemærk: komplementær transistor (par) 2SA1244. FT: 120 MHz. Funktion: Højstrømsskift. Halvledermateriale: silicium. Max hFE-forstærkning: 240. Minimum hFE-forstærkning: 70. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD). Mængde pr tilfælde: 1. Mærkning på kabinettet: C3074. Mætningsspænding VCE (sat): 0.2V. Pd (Strømafledning, maks.) ): 20W. RoHS: ja. Spec info: Lo-sat--Vce(sat)--0.2V. Teknologi: Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process). Temperatur: +150°C. Type transistor: NPN. Vcbo: 60V. Vebo: 5V. Originalt produkt fra producenten: Toshiba. Antal på lager opdateret den 06/11/2025, 09:45

Teknisk dokumentation (PDF)
2SC3074-Y
24 parametre
Kollektorstrøm
5A
Hus
D-PAK ( TO-252 )
Hus (i henhold til datablad)
TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 )
Kollektor/emitterspænding Vceo
50V
Antal terminaler
2
Bemærk
komplementær transistor (par) 2SA1244
FT
120 MHz
Funktion
Højstrømsskift
Halvledermateriale
silicium
Max hFE-forstærkning
240
Minimum hFE-forstærkning
70
Montering / installation
overflademonteret komponent (SMD)
Mængde pr tilfælde
1
Mærkning på kabinettet
C3074
Mætningsspænding VCE (sat)
0.2V
Pd (Strømafledning, maks.) )
20W
RoHS
ja
Spec info
Lo-sat--Vce(sat)--0.2V
Teknologi
Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process)
Temperatur
+150°C
Type transistor
NPN
Vcbo
60V
Vebo
5V
Originalt produkt fra producenten
Toshiba