NPN transistor 2SC3460, 6A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3PB, 800V

NPN transistor 2SC3460, 6A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3PB, 800V

Antal
Enhedspris
1-4
25.59kr
5-29
22.53kr
30-59
20.77kr
60+
19.62kr
Antal på lager: 11

NPN transistor 2SC3460, 6A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3PB, 800V. Kollektorstrøm: 6A. Hus: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hus (i henhold til datablad): TO-3PB. Kollektor/emitterspænding Vceo: 800V. Antal terminaler: 3. FT: 15 MHz. Funktion: Skift af regulatorapplikationer. Halvledermateriale: silicium. Ic (puls): 20A. Max hFE-forstærkning: 40. Minimum hFE-forstærkning: 10. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort. Mængde pr tilfælde: 1. Mætningsspænding VCE (sat): 2V. Pd (Strømafledning, maks.) ): 100W. RoHS: ja. Teknologi: Tredobbelt diffuseret plan siliciumtransistor. Temperatur: +150°C. Tf (maks.): 0.3us. Type transistor: NPN. Vcbo: 1100V. Vebo: 7V. Originalt produkt fra producenten: Sanyo. Antal på lager opdateret den 06/11/2025, 22:14

Teknisk dokumentation (PDF)
2SC3460
23 parametre
Kollektorstrøm
6A
Hus
TO-3P ( TO-218 SOT-93 )
Hus (i henhold til datablad)
TO-3PB
Kollektor/emitterspænding Vceo
800V
Antal terminaler
3
FT
15 MHz
Funktion
Skift af regulatorapplikationer
Halvledermateriale
silicium
Ic (puls)
20A
Max hFE-forstærkning
40
Minimum hFE-forstærkning
10
Montering / installation
Gennemgående hulmontering af printkort
Mængde pr tilfælde
1
Mætningsspænding VCE (sat)
2V
Pd (Strømafledning, maks.) )
100W
RoHS
ja
Teknologi
Tredobbelt diffuseret plan siliciumtransistor
Temperatur
+150°C
Tf (maks.)
0.3us
Type transistor
NPN
Vcbo
1100V
Vebo
7V
Originalt produkt fra producenten
Sanyo