NPN transistor 2SC5198-TOS, 10A, TO-3PN ( 2-16C1B ), 2-16C1B, 140V

NPN transistor 2SC5198-TOS, 10A, TO-3PN ( 2-16C1B ), 2-16C1B, 140V

Antal
Enhedspris
1-4
23.98kr
5-9
21.70kr
10-24
20.08kr
25-49
18.63kr
50+
16.89kr
Antal på lager: 75

NPN transistor 2SC5198-TOS, 10A, TO-3PN ( 2-16C1B ), 2-16C1B, 140V. Kollektorstrøm: 10A. Hus: TO-3PN ( 2-16C1B ). Hus (i henhold til datablad): 2-16C1B. Kollektor/emitterspænding Vceo: 140V. Antal terminaler: 3. BE-diode: ingen. CE-diode: ingen. FT: 30 MHz. Funktion: HI-FI effektforstærker. Halvledermateriale: silicium. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 2V. Max hFE-forstærkning: 160. Minimum hFE-forstærkning: 80. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort. Mængde pr tilfælde: 1. Mærkning på kabinettet: C5198 O. Mætningsspænding VCE (sat): 0.3V. Omkostninger): 170pF. Pd (Strømafledning, maks.) ): 100W. RoHS: ja. Spec info: komplementær transistor (par) 2SA1941. Teknologi: Triple diffused planar transistor. Temperatur: +150°C. Type transistor: NPN. Vcbo: 140V. Vebo: 5V. Originalt produkt fra producenten: Toshiba. Antal på lager opdateret den 13/11/2025, 12:12

Teknisk dokumentation (PDF)
2SC5198-TOS
27 parametre
Kollektorstrøm
10A
Hus
TO-3PN ( 2-16C1B )
Hus (i henhold til datablad)
2-16C1B
Kollektor/emitterspænding Vceo
140V
Antal terminaler
3
BE-diode
ingen
CE-diode
ingen
FT
30 MHz
Funktion
HI-FI effektforstærker
Halvledermateriale
silicium
Maksimal mætningsspænding VCE (sat)
2V
Max hFE-forstærkning
160
Minimum hFE-forstærkning
80
Montering / installation
Gennemgående hulmontering af printkort
Mængde pr tilfælde
1
Mærkning på kabinettet
C5198 O
Mætningsspænding VCE (sat)
0.3V
Omkostninger)
170pF
Pd (Strømafledning, maks.) )
100W
RoHS
ja
Spec info
komplementær transistor (par) 2SA1941
Teknologi
Triple diffused planar transistor
Temperatur
+150°C
Type transistor
NPN
Vcbo
140V
Vebo
5V
Originalt produkt fra producenten
Toshiba