NPN transistor 2SC5707FA, 8A, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 80V

NPN transistor 2SC5707FA, 8A, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 80V

Antal
Enhedspris
1-4
7.43kr
5-24
5.89kr
25-49
5.26kr
50+
4.63kr
Antal på lager: 212

NPN transistor 2SC5707FA, 8A, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 80V. Kollektorstrøm: 8A. Hus: D-PAK ( TO-252 ). Hus (i henhold til datablad): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Kollektor/emitterspænding Vceo: 80V. Antal terminaler: 2. FT: 330 MHz. Funktion: DC-DC konverter, TFT strømforsyning. Halvledermateriale: silicium. Ic (puls): 11A. Max hFE-forstærkning: 560. Minimum hFE-forstærkning: 200. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD). Mængde pr tilfælde: 1. Mærkning på kabinettet: C5707T. Mætningsspænding VCE (sat): 0.11V. Pd (Strømafledning, maks.) ): 15W. RoHS: ja. Spec info: komplementær transistor (par) 2SA2040FA. Teknologi: Epitaksial plan siliciumtransistor. Temperatur: +150°C. Tf (maks.): 25 ns. Tf (min): 25 ns. Type transistor: NPN. Vcbo: 80V. Vebo: 6V. Originalt produkt fra producenten: Sanyo. Antal på lager opdateret den 13/11/2025, 12:12

Teknisk dokumentation (PDF)
2SC5707FA
26 parametre
Kollektorstrøm
8A
Hus
D-PAK ( TO-252 )
Hus (i henhold til datablad)
TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 )
Kollektor/emitterspænding Vceo
80V
Antal terminaler
2
FT
330 MHz
Funktion
DC-DC konverter, TFT strømforsyning
Halvledermateriale
silicium
Ic (puls)
11A
Max hFE-forstærkning
560
Minimum hFE-forstærkning
200
Montering / installation
overflademonteret komponent (SMD)
Mængde pr tilfælde
1
Mærkning på kabinettet
C5707T
Mætningsspænding VCE (sat)
0.11V
Pd (Strømafledning, maks.) )
15W
RoHS
ja
Spec info
komplementær transistor (par) 2SA2040FA
Teknologi
Epitaksial plan siliciumtransistor
Temperatur
+150°C
Tf (maks.)
25 ns
Tf (min)
25 ns
Type transistor
NPN
Vcbo
80V
Vebo
6V
Originalt produkt fra producenten
Sanyo