NPN transistor 2SD1623S, 2A, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), SOT-89, 50V

NPN transistor 2SD1623S, 2A, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), SOT-89, 50V

Antal
Enhedspris
1-4
8.89kr
5-24
7.38kr
25-49
6.43kr
50-99
5.83kr
100+
4.99kr
Antal på lager: 57

NPN transistor 2SD1623S, 2A, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), SOT-89, 50V. Kollektorstrøm: 2A. Hus: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Hus (i henhold til datablad): SOT-89. Kollektor/emitterspænding Vceo: 50V. Antal terminaler: 3. BE-diode: ingen. Bemærk: komplementær transistor (par) 2SB1123S. CE-diode: ingen. FT: 150 MHz. Funktion: High-Current Switching, lav mætning spænding. Halvledermateriale: silicium. Ic (puls): 4A. Max hFE-forstærkning: 280. Minimum hFE-forstærkning: 140. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD). Mængde pr tilfælde: 1. Mærkning på kabinettet: DF. Mætningsspænding VCE (sat): 1.5V. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.5W. RoHS: ja. Spec info: serigrafi/SMD-kode DF. Teknologi: Epitaksial plan siliciumtransistor. Temperatur: +150°C. Tf (maks.): 30 ns. Tf (min): 30 ns. Type transistor: NPN. Vcbo: 60V. Vebo: 6V. Originalt produkt fra producenten: ON Semiconductor. Antal på lager opdateret den 31/10/2025, 07:46

Teknisk dokumentation (PDF)
2SD1623S
29 parametre
Kollektorstrøm
2A
Hus
SOT-89 4-Pin ( 3+Tab )
Hus (i henhold til datablad)
SOT-89
Kollektor/emitterspænding Vceo
50V
Antal terminaler
3
BE-diode
ingen
Bemærk
komplementær transistor (par) 2SB1123S
CE-diode
ingen
FT
150 MHz
Funktion
High-Current Switching, lav mætning spænding
Halvledermateriale
silicium
Ic (puls)
4A
Max hFE-forstærkning
280
Minimum hFE-forstærkning
140
Montering / installation
overflademonteret komponent (SMD)
Mængde pr tilfælde
1
Mærkning på kabinettet
DF
Mætningsspænding VCE (sat)
1.5V
Pd (Strømafledning, maks.) )
0.5W
RoHS
ja
Spec info
serigrafi/SMD-kode DF
Teknologi
Epitaksial plan siliciumtransistor
Temperatur
+150°C
Tf (maks.)
30 ns
Tf (min)
30 ns
Type transistor
NPN
Vcbo
60V
Vebo
6V
Originalt produkt fra producenten
ON Semiconductor