NPN transistor 2SD1664Q, 1A, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), SOT-89, 32V

NPN transistor 2SD1664Q, 1A, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), SOT-89, 32V

Antal
Enhedspris
1-4
3.38kr
5-9
2.56kr
10-24
2.16kr
25+
1.93kr
Antal på lager: 850

NPN transistor 2SD1664Q, 1A, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), SOT-89, 32V. Kollektorstrøm: 1A. Hus: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Hus (i henhold til datablad): SOT-89. Kollektor/emitterspænding Vceo: 32V. Antal terminaler: 3. Driftstemperatur: +55...+150°C. FT: 150 MHz. Funktion: bipolær transistor. Halvledermateriale: silicium. Ic (puls): 2A. Konditionering: rulle. Konditioneringsenhed: 1000. Max hFE-forstærkning: 270. Minimum hFE-forstærkning: 120. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD). Mængde pr tilfælde: 1. Mærkning på kabinettet: DAQ. Mætningsspænding VCE (sat): 0.15V. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.5W. RoHS: ja. Spec info: serigrafi/SMD-kode DAQ. Teknologi: Epitaksial plan type. Type transistor: NPN. Vcbo: 40V. Vebo: 5V. Originalt produkt fra producenten: ROHM. Antal på lager opdateret den 31/10/2025, 07:46

Teknisk dokumentation (PDF)
2SD1664Q
26 parametre
Kollektorstrøm
1A
Hus
SOT-89 4-Pin ( 3+Tab )
Hus (i henhold til datablad)
SOT-89
Kollektor/emitterspænding Vceo
32V
Antal terminaler
3
Driftstemperatur
+55...+150°C
FT
150 MHz
Funktion
bipolær transistor
Halvledermateriale
silicium
Ic (puls)
2A
Konditionering
rulle
Konditioneringsenhed
1000
Max hFE-forstærkning
270
Minimum hFE-forstærkning
120
Montering / installation
overflademonteret komponent (SMD)
Mængde pr tilfælde
1
Mærkning på kabinettet
DAQ
Mætningsspænding VCE (sat)
0.15V
Pd (Strømafledning, maks.) )
0.5W
RoHS
ja
Spec info
serigrafi/SMD-kode DAQ
Teknologi
Epitaksial plan type
Type transistor
NPN
Vcbo
40V
Vebo
5V
Originalt produkt fra producenten
ROHM