NPN transistor 2SD1804, 8A, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 50V

NPN transistor 2SD1804, 8A, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 50V

Antal
Enhedspris
1-4
25.82kr
5-9
22.36kr
10-24
20.08kr
25-49
18.57kr
50+
16.63kr
Antal på lager: 3

NPN transistor 2SD1804, 8A, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 50V. Kollektorstrøm: 8A. Hus: D-PAK ( TO-252 ). Hus (i henhold til datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Kollektor/emitterspænding Vceo: 50V. Antal terminaler: 2. FT: 180 MHz. Funktion: High-Current Switching, lav mætning spænding. Halvledermateriale: silicium. Ic (puls): 12A. Max hFE-forstærkning: 400. Minimum hFE-forstærkning: 35. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD). Mængde pr tilfælde: 1. Mætningsspænding VCE (sat): 0.2V. Pd (Strømafledning, maks.) ): 20W. Spec info: komplementær transistor (par) 2SB1204. Teknologi: Epitaksiale plane siliciumtransistorer. Temperatur: +150°C. Tf (maks.): 20 ns. Tf (min): 20 ns. Type transistor: NPN. Vcbo: 60V. Vebo: 6V. Originalt produkt fra producenten: Sanyo. Antal på lager opdateret den 31/10/2025, 07:46

Teknisk dokumentation (PDF)
2SD1804
24 parametre
Kollektorstrøm
8A
Hus
D-PAK ( TO-252 )
Hus (i henhold til datablad)
TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 )
Kollektor/emitterspænding Vceo
50V
Antal terminaler
2
FT
180 MHz
Funktion
High-Current Switching, lav mætning spænding
Halvledermateriale
silicium
Ic (puls)
12A
Max hFE-forstærkning
400
Minimum hFE-forstærkning
35
Montering / installation
overflademonteret komponent (SMD)
Mængde pr tilfælde
1
Mætningsspænding VCE (sat)
0.2V
Pd (Strømafledning, maks.) )
20W
Spec info
komplementær transistor (par) 2SB1204
Teknologi
Epitaksiale plane siliciumtransistorer
Temperatur
+150°C
Tf (maks.)
20 ns
Tf (min)
20 ns
Type transistor
NPN
Vcbo
60V
Vebo
6V
Originalt produkt fra producenten
Sanyo