| Antal på lager: 46 |
NPN transistor 2SD2012, 3A, TO-220FP, 2-10R1A, 60V
Antal
Enhedspris
1-4
13.56kr
5-9
11.85kr
10-24
10.58kr
25-49
9.76kr
50+
8.43kr
| Forældet produkt, vil snart blive fjernet fra kataloget | |
| Udsolgt | |
| Ækvivalens tilgængelig |
NPN transistor 2SD2012, 3A, TO-220FP, 2-10R1A, 60V. Kollektorstrøm: 3A. Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): 2-10R1A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 60V. Antal terminaler: 3. BE-diode: ingen. CE-diode: ingen. FT: 3 MHz. Halvledermateriale: silicium. Ic (puls): -. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 1V. Max hFE-forstærkning: 300. Minimum hFE-forstærkning: 100. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort. Mængde pr tilfælde: 1. Mærkning på kabinettet: D2012. Mætningsspænding VCE (sat): 0.4V. Omkostninger): 35pF. Pd (Strømafledning, maks.) ): 25W. Spec info: komplementær transistor (par) 2SB1366. Teknologi: Silicon NPN Triple Diffused Type. Type transistor: NPN. Vcbo: 60V. Vebo: 7V. Originalt produkt fra producenten: Toshiba. Antal på lager opdateret den 06/11/2025, 22:14
2SD2012
24 parametre
Kollektorstrøm
3A
Hus
TO-220FP
Hus (i henhold til datablad)
2-10R1A
Kollektor/emitterspænding Vceo
60V
Antal terminaler
3
BE-diode
ingen
CE-diode
ingen
FT
3 MHz
Halvledermateriale
silicium
Maksimal mætningsspænding VCE (sat)
1V
Max hFE-forstærkning
300
Minimum hFE-forstærkning
100
Montering / installation
Gennemgående hulmontering af printkort
Mængde pr tilfælde
1
Mærkning på kabinettet
D2012
Mætningsspænding VCE (sat)
0.4V
Omkostninger)
35pF
Pd (Strømafledning, maks.) )
25W
Spec info
komplementær transistor (par) 2SB1366
Teknologi
Silicon NPN Triple Diffused Type
Type transistor
NPN
Vcbo
60V
Vebo
7V
Originalt produkt fra producenten
Toshiba