NPN transistor 2SD600K, TO-126 (TO-225, SOT-32), 1A, TO-126, 120V

NPN transistor 2SD600K, TO-126 (TO-225, SOT-32), 1A, TO-126, 120V

Antal
Enhedspris
1-4
34.35kr
5-24
32.63kr
25-49
31.00kr
50+
29.13kr
Antal på lager: 8

NPN transistor 2SD600K, TO-126 (TO-225, SOT-32), 1A, TO-126, 120V. Hus: TO-126 (TO-225, SOT-32). Kollektorstrøm: 1A. Hus (i henhold til datablad): TO-126. Kollektor/emitterspænding Vceo: 120V. Antal terminaler: 3. Collector Current IC [A]: 1A. Effekt: 8W. FT: 130 MHz. Frekvens: 130MHz. Funktion: Lavfrekvent effektforstærker. Halvledermateriale: silicium. Ic (puls): 2A. Max hFE-forstærkning: 320. Minimum hFE-forstærkning: 20. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort. Mængde pr tilfælde: 1. Mætningsspænding VCE (sat): 0.15V. Pd (Strømafledning, maks.) ): 8W. Polaritet: bipolar. Spec info: komplementær transistor (par) 2SB631K. Spænding (samler - emitter): 120V. Temperatur: +150°C. Tf (maks.): 100 ns. Tf (min): 100 ns. Type transistor: NPN. Vcbo: 120V. Vebo: 5V. Originalt produkt fra producenten: Sanyo. Antal på lager opdateret den 31/10/2025, 09:24

Teknisk dokumentation (PDF)
2SD600K
28 parametre
Hus
TO-126 (TO-225, SOT-32)
Kollektorstrøm
1A
Hus (i henhold til datablad)
TO-126
Kollektor/emitterspænding Vceo
120V
Antal terminaler
3
Collector Current IC [A]
1A
Effekt
8W
FT
130 MHz
Frekvens
130MHz
Funktion
Lavfrekvent effektforstærker
Halvledermateriale
silicium
Ic (puls)
2A
Max hFE-forstærkning
320
Minimum hFE-forstærkning
20
Montering / installation
Gennemgående hulmontering af printkort
Mængde pr tilfælde
1
Mætningsspænding VCE (sat)
0.15V
Pd (Strømafledning, maks.) )
8W
Polaritet
bipolar
Spec info
komplementær transistor (par) 2SB631K
Spænding (samler - emitter)
120V
Temperatur
+150°C
Tf (maks.)
100 ns
Tf (min)
100 ns
Type transistor
NPN
Vcbo
120V
Vebo
5V
Originalt produkt fra producenten
Sanyo