NPN transistor 2SD667, 1A, TO-92, TO-92MOD ( 2-5J1A ), 80V. Kollektorstrøm: 1A. Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92MOD ( 2-5J1A ). Kollektor/emitterspænding Vceo: 80V. Antal terminaler: 3. Bemærk: 9mm. Driftstemperatur: -50...+150°C. FT: 140 MHz. Funktion: Lavfrekvent effektforstærker. Halvledermateriale: silicium. Ic (puls): 2A. Max hFE-forstærkning: 120. Minimum hFE-forstærkning: 60. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort. Mængde pr tilfælde: 1. Mærkning på kabinettet: D667. Mætningsspænding VCE (sat): 1V. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.9W. Spec info: komplementær transistor (par) 2SB647. Teknologi: Silicon NPN Epitaxial. Type transistor: NPN. Vcbo: 120V. Vebo: 5V. Originalt produkt fra producenten: Hitachi. Antal på lager opdateret den 31/10/2025, 09:24