NPN transistor BC817-40, SOT-23 ( TO-236 ), 45V, 0.5A, SOT-23 ( TO236 ), 45V

NPN transistor BC817-40, SOT-23 ( TO-236 ), 45V, 0.5A, SOT-23 ( TO236 ), 45V

Antal
Enhedspris
10-49
0.35kr
50-99
0.29kr
100-499
0.24kr
500+
0.18kr
+198023 ekstra varer tilgængelige på lager (leveres inden for 4 timer). Kontakt os for priser og tilgængelighed!
Udsolgt
Ækvivalens tilgængelig
Lassen Sie sich per E-Mail benachrichtigen, wenn dieses Produkt wieder auf Lager ist!

NPN transistor BC817-40, SOT-23 ( TO-236 ), 45V, 0.5A, SOT-23 ( TO236 ), 45V. Hus: SOT-23 ( TO-236 ). Collector-Emitter Spænding VCEO: 45V. Kollektorstrøm: 0.5A. Hus (i henhold til datablad): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor/emitterspænding Vceo: 45V. Antal terminaler: 3. BE-diode: ingen. Båndbredde MHz: 100MHz. CE-diode: ingen. Collector Current IC [A]: 0.5A. 500mA. Collector-basis spænding VCBO: 50V. DC Collector/Base Gain HFE Min.: 250. Driftstemperatur: -65...+150°C. Effekt: 225mW. Emballage: spole. FT: 170 MHz. Funktion: NF-TR. Halvledermateriale: silicium. Ic (puls): 1A. Information: -. Max hFE-forstærkning: 630. Minimum hFE-forstærkning: 250. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD). Monteringstype: SMD. Mængde pr tilfælde: 1. Mærkning på kabinettet: 6C. Mætningsspænding VCE (sat): 0.7V. Nuværende Max 1: 0.8A. Omkostninger): 10pF. Original emballage: 3000. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.33W. Polaritet: bipolar. RoHS: ja. Serie: BC. Spec info: serigrafi/SMD-kode 6C. Spænding (samler - emitter): 50V. Type transistor: NPN. Type: transistor til laveffektapplikationer. Vcbo: 50V. Vebo: 5V. Originalt produkt fra producenten: ON Semiconductor. Minimumsmængde: 10. Antal på lager opdateret den 13/11/2025, 20:34

Teknisk dokumentation (PDF)
BC817-40
41 parametre
Hus
SOT-23 ( TO-236 )
Collector-Emitter Spænding VCEO
45V
Kollektorstrøm
0.5A
Hus (i henhold til datablad)
SOT-23 ( TO236 )
Kollektor/emitterspænding Vceo
45V
Antal terminaler
3
BE-diode
ingen
Båndbredde MHz
100MHz
CE-diode
ingen
Collector Current IC [A]
0.5A
Collector-basis spænding VCBO
50V
DC Collector/Base Gain HFE Min.
250
Driftstemperatur
-65...+150°C
Effekt
225mW
Emballage
spole
FT
170 MHz
Funktion
NF-TR
Halvledermateriale
silicium
Ic (puls)
1A
Max hFE-forstærkning
630
Minimum hFE-forstærkning
250
Montering / installation
overflademonteret komponent (SMD)
Monteringstype
SMD
Mængde pr tilfælde
1
Mærkning på kabinettet
6C
Mætningsspænding VCE (sat)
0.7V
Nuværende Max 1
0.8A
Omkostninger)
10pF
Original emballage
3000
Pd (Strømafledning, maks.) )
0.33W
Polaritet
bipolar
RoHS
ja
Serie
BC
Spec info
serigrafi/SMD-kode 6C
Spænding (samler - emitter)
50V
Type transistor
NPN
Type
transistor til laveffektapplikationer
Vcbo
50V
Vebo
5V
Originalt produkt fra producenten
ON Semiconductor
Minimumsmængde
10

Tilsvarende produkter og/eller tilbehør til BC817-40