NPN transistor BC846B, SOT-23 ( TO-236 ), 65V, 0.1A, TO-236AB, 65V

NPN transistor BC846B, SOT-23 ( TO-236 ), 65V, 0.1A, TO-236AB, 65V

Antal
Enhedspris
10-49
0.36kr
50-99
0.31kr
100-499
0.26kr
500+
0.21kr
+236377 ekstra varer tilgængelige på lager (leveres inden for 4 timer). Kontakt os for priser og tilgængelighed!
Antal på lager: 1703
Minimum: 10

NPN transistor BC846B, SOT-23 ( TO-236 ), 65V, 0.1A, TO-236AB, 65V. Hus: SOT-23 ( TO-236 ). Collector-Emitter Spænding VCEO: 65V. Kollektorstrøm: 0.1A. Hus (i henhold til datablad): TO-236AB. Kollektor/emitterspænding Vceo: 65V. BE-diode: ingen. Båndbredde MHz: 100MHz. C (i): 11pF. CE-diode: ingen. Collector Current IC [A]: 100mA. Collector-basis spænding VCBO: 80V. DC Collector/Base Gain HFE Min.: 200. Effekt: 0.25W. FT: 300 MHz. Frekvens: 300MHz. Funktion: generelt formål. Halvledermateriale: silicium. Information: -. Max hFE-forstærkning: 450. Minimum hFE-forstærkning: 200. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD). Monteringstype: SMD. Mængde pr tilfælde: 1. Mærkning på kabinettet: 1B. Nuværende Max 1: 0.1A. Omkostninger): 2pF. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.25W. Polaritet: bipolar. RoHS: ja. Serie: BC. Spec info: SMD 1B. Spænding (samler - emitter): 65V. Type transistor: NPN. Type: transistor til laveffektapplikationer. Vcbo: 80V. Vebo: 6V. Originalt produkt fra producenten: Nexperia. Minimumsmængde: 10. Antal på lager opdateret den 13/11/2025, 20:34

Teknisk dokumentation (PDF)
BC846B
37 parametre
Hus
SOT-23 ( TO-236 )
Collector-Emitter Spænding VCEO
65V
Kollektorstrøm
0.1A
Hus (i henhold til datablad)
TO-236AB
Kollektor/emitterspænding Vceo
65V
BE-diode
ingen
Båndbredde MHz
100MHz
C (i)
11pF
CE-diode
ingen
Collector Current IC [A]
100mA
Collector-basis spænding VCBO
80V
DC Collector/Base Gain HFE Min.
200
Effekt
0.25W
FT
300 MHz
Frekvens
300MHz
Funktion
generelt formål
Halvledermateriale
silicium
Max hFE-forstærkning
450
Minimum hFE-forstærkning
200
Montering / installation
overflademonteret komponent (SMD)
Monteringstype
SMD
Mængde pr tilfælde
1
Mærkning på kabinettet
1B
Nuværende Max 1
0.1A
Omkostninger)
2pF
Pd (Strømafledning, maks.) )
0.25W
Polaritet
bipolar
RoHS
ja
Serie
BC
Spec info
SMD 1B
Spænding (samler - emitter)
65V
Type transistor
NPN
Type
transistor til laveffektapplikationer
Vcbo
80V
Vebo
6V
Originalt produkt fra producenten
Nexperia
Minimumsmængde
10