NPN transistor BC847C, SOT-23 ( TO-236 ), 0.1A, SOT-23, 45V

NPN transistor BC847C, SOT-23 ( TO-236 ), 0.1A, SOT-23, 45V

Antal
Enhedspris
10-24
0.36kr
25-99
0.27kr
100-249
0.23kr
250-499
0.21kr
500+
0.17kr
+14600 ekstra varer tilgængelige på lager (leveres inden for 4 timer). Kontakt os for priser og tilgængelighed!
Antal på lager: 2462
Minimum: 10

NPN transistor BC847C, SOT-23 ( TO-236 ), 0.1A, SOT-23, 45V. Hus: SOT-23 ( TO-236 ). Kollektorstrøm: 0.1A. Hus (i henhold til datablad): SOT-23. Kollektor/emitterspænding Vceo: 45V. BE-diode: ingen. CE-diode: ingen. Collector Current IC [A]: 100mA. Effekt: 200mW. FT: 100 MHz. Frekvens: 100MHz. Funktion: generelt formål. Halvledermateriale: silicium. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 0.6V. Max hFE-forstærkning: 800. Minimum hFE-forstærkning: 250. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD). Mængde pr tilfælde: 1. Mætningsspænding VCE (sat): 0.25V. Omkostninger): 4.5pF. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.225W. Polaritet: bipolar. RoHS: ja. Spec info: serigrafi/SMD-kode 1G. Spænding (samler - emitter): 45V. Type transistor: NPN. Vcbo: 50V. Vebo: 6V. Originalt produkt fra producenten: ON Semiconductor. Minimumsmængde: 10. Antal på lager opdateret den 13/11/2025, 20:34

Teknisk dokumentation (PDF)
BC847C
29 parametre
Hus
SOT-23 ( TO-236 )
Kollektorstrøm
0.1A
Hus (i henhold til datablad)
SOT-23
Kollektor/emitterspænding Vceo
45V
BE-diode
ingen
CE-diode
ingen
Collector Current IC [A]
100mA
Effekt
200mW
FT
100 MHz
Frekvens
100MHz
Funktion
generelt formål
Halvledermateriale
silicium
Maksimal mætningsspænding VCE (sat)
0.6V
Max hFE-forstærkning
800
Minimum hFE-forstærkning
250
Montering / installation
overflademonteret komponent (SMD)
Mængde pr tilfælde
1
Mætningsspænding VCE (sat)
0.25V
Omkostninger)
4.5pF
Pd (Strømafledning, maks.) )
0.225W
Polaritet
bipolar
RoHS
ja
Spec info
serigrafi/SMD-kode 1G
Spænding (samler - emitter)
45V
Type transistor
NPN
Vcbo
50V
Vebo
6V
Originalt produkt fra producenten
ON Semiconductor
Minimumsmængde
10