NPN transistor BC868-25-115, 2A, SOT-89, SOT89, 20V

NPN transistor BC868-25-115, 2A, SOT-89, SOT89, 20V

Antal
Enhedspris
1-4
2.57kr
5-49
2.20kr
50-99
1.91kr
100-199
1.76kr
200+
1.54kr
Ækvivalens tilgængelig
Antal på lager: 992

NPN transistor BC868-25-115, 2A, SOT-89, SOT89, 20V. Kollektorstrøm: 2A. Hus: SOT-89. Hus (i henhold til datablad): SOT89. Kollektor/emitterspænding Vceo: 20V. BE-diode: ingen. CE-diode: ingen. Driftstemperatur: -55...+150°C. FT: 170 MHz. Funktion: -. Halvledermateriale: silicium. Ic (puls): 3A. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 0.5V. Max hFE-forstærkning: 375. Minimum hFE-forstærkning: 160. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD). Mængde pr tilfælde: 1. Mærkning på kabinettet: CDC. Omkostninger): 22pF. Pd (Strømafledning, maks.) ): 1.35W. RoHS: ja. Spec info: serigrafi/SMD-kode CDC. Type transistor: NPN. Vcbo: 32V. Vebo: 5V. Originalt produkt fra producenten: Nxp Semiconductors. Antal på lager opdateret den 13/11/2025, 20:34

Teknisk dokumentation (PDF)
BC868-25-115
24 parametre
Kollektorstrøm
2A
Hus
SOT-89
Hus (i henhold til datablad)
SOT89
Kollektor/emitterspænding Vceo
20V
BE-diode
ingen
CE-diode
ingen
Driftstemperatur
-55...+150°C
FT
170 MHz
Halvledermateriale
silicium
Ic (puls)
3A
Maksimal mætningsspænding VCE (sat)
0.5V
Max hFE-forstærkning
375
Minimum hFE-forstærkning
160
Montering / installation
overflademonteret komponent (SMD)
Mængde pr tilfælde
1
Mærkning på kabinettet
CDC
Omkostninger)
22pF
Pd (Strømafledning, maks.) )
1.35W
RoHS
ja
Spec info
serigrafi/SMD-kode CDC
Type transistor
NPN
Vcbo
32V
Vebo
5V
Originalt produkt fra producenten
Nxp Semiconductors

Tilsvarende produkter og/eller tilbehør til BC868-25-115