NPN transistor BC868, SOT-89, 2A, SOT89, 20V

NPN transistor BC868, SOT-89, 2A, SOT89, 20V

Antal
Enhedspris
1-4
2.57kr
5-49
2.20kr
50-99
1.91kr
100-199
1.76kr
200+
1.54kr
+25 ekstra varer tilgængelige på lager (leveres inden for 4 timer). Kontakt os for priser og tilgængelighed!
Ækvivalens tilgængelig
Antal på lager: 978

NPN transistor BC868, SOT-89, 2A, SOT89, 20V. Hus: SOT-89. Kollektorstrøm: 2A. Hus (i henhold til datablad): SOT89. Kollektor/emitterspænding Vceo: 20V. BE-diode: ingen. CE-diode: ingen. Collector Current IC [A]: 1A, 2A. Driftstemperatur: -55...+150°C. Effekt: 950mW. FT: 170 MHz. Frekvens: 60MHz, 170MHz. Funktion: -. Halvledermateriale: silicium. Ic (puls): 3A. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 0.5V. Max hFE-forstærkning: 375. Minimum hFE-forstærkning: 85. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD). Mængde pr tilfælde: 1. Mærkning på kabinettet: CAC. Omkostninger): 22pF. Pd (Strømafledning, maks.) ): 1.35W. Polaritet: bipolar. RoHS: ja. Spec info: serigrafi/SMD-kode CAC. Spænding (samler - emitter): 25V, 20V. Type transistor: NPN. Vcbo: 32V. Vebo: 5V. Originalt produkt fra producenten: Nxp Semiconductors. Antal på lager opdateret den 13/11/2025, 20:34

Teknisk dokumentation (PDF)
BC868
29 parametre
Hus
SOT-89
Kollektorstrøm
2A
Hus (i henhold til datablad)
SOT89
Kollektor/emitterspænding Vceo
20V
BE-diode
ingen
CE-diode
ingen
Collector Current IC [A]
1A, 2A
Driftstemperatur
-55...+150°C
Effekt
950mW
FT
170 MHz
Frekvens
60MHz, 170MHz
Halvledermateriale
silicium
Ic (puls)
3A
Maksimal mætningsspænding VCE (sat)
0.5V
Max hFE-forstærkning
375
Minimum hFE-forstærkning
85
Montering / installation
overflademonteret komponent (SMD)
Mængde pr tilfælde
1
Mærkning på kabinettet
CAC
Omkostninger)
22pF
Pd (Strømafledning, maks.) )
1.35W
Polaritet
bipolar
RoHS
ja
Spec info
serigrafi/SMD-kode CAC
Spænding (samler - emitter)
25V, 20V
Type transistor
NPN
Vcbo
32V
Vebo
5V
Originalt produkt fra producenten
Nxp Semiconductors

Tilsvarende produkter og/eller tilbehør til BC868