NPN transistor BCR533, 500mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V

NPN transistor BCR533, 500mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V

Antal
Enhedspris
10-49
0.51kr
50-99
0.45kr
100-199
0.40kr
200+
0.34kr
+2817 ekstra varer tilgængelige på lager (leveres inden for 4 timer). Kontakt os for priser og tilgængelighed!
Antal på lager: 2092
Minimum: 10

NPN transistor BCR533, 500mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V. Kollektorstrøm: 500mA. Hus: SOT-23 ( TO-236 ). Hus (i henhold til datablad): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor/emitterspænding Vceo: 50V. Antal terminaler: 3. BE-diode: ingen. BE-modstand: 10k Ohms. CE-diode: ingen. Driftstemperatur: -65...+150°C. FT: 100 MHz. Funktion: Transistor med indbygget forspændingsmodstand. Halvledermateriale: silicium. Minimum hFE-forstærkning: 70. Modstand B: 10k Ohms. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD). Mængde pr tilfælde: 1. Mærkning på kabinettet: XCs. Mætningsspænding VCE (sat): 0.3V. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.33W. RoHS: ja. Spec info: serigrafi/CMS-kode XCs. Type transistor: NPN. Vcbo: 50V. Vebo: 1V. Originalt produkt fra producenten: Infineon Technologies. Minimumsmængde: 10. Antal på lager opdateret den 13/11/2025, 20:34

Teknisk dokumentation (PDF)
BCR533
26 parametre
Kollektorstrøm
500mA
Hus
SOT-23 ( TO-236 )
Hus (i henhold til datablad)
SOT-23 ( TO236 )
Kollektor/emitterspænding Vceo
50V
Antal terminaler
3
BE-diode
ingen
BE-modstand
10k Ohms
CE-diode
ingen
Driftstemperatur
-65...+150°C
FT
100 MHz
Funktion
Transistor med indbygget forspændingsmodstand
Halvledermateriale
silicium
Minimum hFE-forstærkning
70
Modstand B
10k Ohms
Montering / installation
overflademonteret komponent (SMD)
Mængde pr tilfælde
1
Mærkning på kabinettet
XCs
Mætningsspænding VCE (sat)
0.3V
Pd (Strømafledning, maks.) )
0.33W
RoHS
ja
Spec info
serigrafi/CMS-kode XCs
Type transistor
NPN
Vcbo
50V
Vebo
1V
Originalt produkt fra producenten
Infineon Technologies
Minimumsmængde
10