NPN transistor BCX41E6327, 0.8A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 125V

NPN transistor BCX41E6327, 0.8A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 125V

Antal
Enhedspris
1-4
1.49kr
5-49
1.25kr
50-99
1.08kr
100-199
0.98kr
200+
0.84kr
Antal på lager: 226

NPN transistor BCX41E6327, 0.8A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 125V. Kollektorstrøm: 0.8A. Hus: SOT-23 ( TO-236 ). Hus (i henhold til datablad): SOT-23. Kollektor/emitterspænding Vceo: 125V. BE-diode: ingen. CE-diode: ingen. Driftstemperatur: -65...150°C. FT: 100 MHz. Funktion: NPN-transistor, AF-applikationer og skift. Halvledermateriale: silicium. Ic (puls): 1A. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 0.9V. Max hFE-forstærkning: 63. Minimum hFE-forstærkning: 25. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD). Mængde pr tilfælde: 1. Mærkning på kabinettet: EKs. Omkostninger): 12pF. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.33W. Spec info: komplementær transistor (par) BCX42. Type transistor: NPN. Vcbo: 125V. Vebo: 5V. Originalt produkt fra producenten: Infineon Technologies. Antal på lager opdateret den 13/11/2025, 20:34

Teknisk dokumentation (PDF)
BCX41E6327
24 parametre
Kollektorstrøm
0.8A
Hus
SOT-23 ( TO-236 )
Hus (i henhold til datablad)
SOT-23
Kollektor/emitterspænding Vceo
125V
BE-diode
ingen
CE-diode
ingen
Driftstemperatur
-65...150°C
FT
100 MHz
Funktion
NPN-transistor, AF-applikationer og skift
Halvledermateriale
silicium
Ic (puls)
1A
Maksimal mætningsspænding VCE (sat)
0.9V
Max hFE-forstærkning
63
Minimum hFE-forstærkning
25
Montering / installation
overflademonteret komponent (SMD)
Mængde pr tilfælde
1
Mærkning på kabinettet
EKs
Omkostninger)
12pF
Pd (Strømafledning, maks.) )
0.33W
Spec info
komplementær transistor (par) BCX42
Type transistor
NPN
Vcbo
125V
Vebo
5V
Originalt produkt fra producenten
Infineon Technologies