NPN transistor BFG591, 200mA, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 15V. Kollektorstrøm: 200mA. Hus: SOT-223 ( TO-226 ). Hus (i henhold til datablad): SOT-223. Kollektor/emitterspænding Vceo: 15V. Antal terminaler: 4. BE-diode: ingen. CE-diode: ingen. Driftstemperatur: -60...+150°C. FT: 7GHz. Funktion: Til VHF/UHF-antenneforstærker og RF-kommunikationsapplikationer. Halvledermateriale: silicium. Max hFE-forstærkning: 250. Minimum hFE-forstærkning: 60. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD). Mængde pr tilfælde: 1. Omkostninger): 0.7pF. Pd (Strømafledning, maks.) ): 2W. RoHS: ja. Temperatur: +150°C. Type transistor: NPN. Vcbo: 20V. Vebo: 3V. Originalt produkt fra producenten: Philips Semiconductors. Antal på lager opdateret den 13/11/2025, 13:31