NPN transistor BFP193E6327, 80mA, SOT-143, SOT-143, 12V

NPN transistor BFP193E6327, 80mA, SOT-143, SOT-143, 12V

Antal
Enhedspris
1-4
3.15kr
5-49
2.59kr
50-99
2.27kr
100-199
2.05kr
200+
1.74kr
Antal på lager: 65

NPN transistor BFP193E6327, 80mA, SOT-143, SOT-143, 12V. Kollektorstrøm: 80mA. Hus: SOT-143. Hus (i henhold til datablad): SOT-143. Kollektor/emitterspænding Vceo: 12V. Antal terminaler: 4. BE-diode: ingen. C (i): 0.9pF. CE-diode: ingen. Driftstemperatur: -55...+150°C. FT: 8GHz. Funktion: UHF wideband transistor. Halvledermateriale: silicium. Max hFE-forstærkning: 140. Minimum hFE-forstærkning: 70. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD). Mængde pr tilfælde: 1. Mærkning på kabinettet: RC er. Omkostninger): 0.28pF. Pd (Strømafledning, maks.) ): 580mW (total 380mW). RoHS: ja. Spec info: screen print/SMD kode RC er. Type transistor: NPN. Vcbo: 20V. Vebo: 2V. Originalt produkt fra producenten: Infineon Technologies. Antal på lager opdateret den 13/11/2025, 13:31

Teknisk dokumentation (PDF)
BFP193E6327
25 parametre
Kollektorstrøm
80mA
Hus
SOT-143
Hus (i henhold til datablad)
SOT-143
Kollektor/emitterspænding Vceo
12V
Antal terminaler
4
BE-diode
ingen
C (i)
0.9pF
CE-diode
ingen
Driftstemperatur
-55...+150°C
FT
8GHz
Funktion
UHF wideband transistor
Halvledermateriale
silicium
Max hFE-forstærkning
140
Minimum hFE-forstærkning
70
Montering / installation
overflademonteret komponent (SMD)
Mængde pr tilfælde
1
Mærkning på kabinettet
RC er
Omkostninger)
0.28pF
Pd (Strømafledning, maks.) )
580mW (total 380mW)
RoHS
ja
Spec info
screen print/SMD kode RC er
Type transistor
NPN
Vcbo
20V
Vebo
2V
Originalt produkt fra producenten
Infineon Technologies