NPN transistor BFR93A, 35mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 12V

NPN transistor BFR93A, 35mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 12V

Antal
Enhedspris
1-4
1.86kr
5-49
1.35kr
50-99
1.20kr
100+
1.07kr
+3314 ekstra varer tilgængelige på lager (leveres inden for 4 timer). Kontakt os for priser og tilgængelighed!
Antal på lager: 1660

NPN transistor BFR93A, 35mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 12V. Kollektorstrøm: 35mA. Hus: SOT-23 ( TO-236 ). Hus (i henhold til datablad): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor/emitterspænding Vceo: 12V. Antal terminaler: 3. BE-diode: ingen. CE-diode: ingen. Driftstemperatur: -65...+150°C. FT: 6GHz. Funktion: UHF-A, RF wideband amplifiers and oscillators.. Halvledermateriale: silicium. Konditionering: rulle. Konditioneringsenhed: 3000. Max hFE-forstærkning: 90. Minimum hFE-forstærkning: 40. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD). Mængde pr tilfælde: 1. Mærkning på kabinettet: R2. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.3W. Spec info: SMD R2. Type transistor: NPN. Vcbo: 15V. Vebo: 2V. Originalt produkt fra producenten: Philips Semiconductors. Antal på lager opdateret den 13/11/2025, 13:31

Teknisk dokumentation (PDF)
BFR93A
24 parametre
Kollektorstrøm
35mA
Hus
SOT-23 ( TO-236 )
Hus (i henhold til datablad)
SOT-23 ( TO236 )
Kollektor/emitterspænding Vceo
12V
Antal terminaler
3
BE-diode
ingen
CE-diode
ingen
Driftstemperatur
-65...+150°C
FT
6GHz
Funktion
UHF-A, RF wideband amplifiers and oscillators.
Halvledermateriale
silicium
Konditionering
rulle
Konditioneringsenhed
3000
Max hFE-forstærkning
90
Minimum hFE-forstærkning
40
Montering / installation
overflademonteret komponent (SMD)
Mængde pr tilfælde
1
Mærkning på kabinettet
R2
Pd (Strømafledning, maks.) )
0.3W
Spec info
SMD R2
Type transistor
NPN
Vcbo
15V
Vebo
2V
Originalt produkt fra producenten
Philips Semiconductors