NPN transistor BFS20, 25mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 20V

NPN transistor BFS20, 25mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 20V

Antal
Enhedspris
10-49
0.61kr
50-99
0.54kr
100+
0.48kr
+2164 ekstra varer tilgængelige på lager (leveres inden for 4 timer). Kontakt os for priser og tilgængelighed!
Antal på lager: 194
Minimum: 10

NPN transistor BFS20, 25mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 20V. Kollektorstrøm: 25mA. Hus: SOT-23 ( TO-236 ). Hus (i henhold til datablad): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor/emitterspænding Vceo: 20V. Antal terminaler: 3. Bemærk: serigrafi/SMD-kode G1p, G1t, G1W. Driftstemperatur: -65...+150°C. FT: 450 MHz. Funktion: IF og VHF tyk- og tyndfilmskredsløb. Halvledermateriale: silicium. Ic (puls): 25mA. Max hFE-forstærkning: 140. Minimum hFE-forstærkning: 40. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD). Mængde pr tilfælde: 1. Mærkning på kabinettet: G1*. Pd (Strømafledning, maks.) ): 200mW. RoHS: ja. Type transistor: NPN. Vcbo: 30 v. Vebo: 4 v. Originalt produkt fra producenten: Diodes Inc. Minimumsmængde: 10. Antal på lager opdateret den 13/11/2025, 13:31

Teknisk dokumentation (PDF)
BFS20
23 parametre
Kollektorstrøm
25mA
Hus
SOT-23 ( TO-236 )
Hus (i henhold til datablad)
SOT-23 ( TO236 )
Kollektor/emitterspænding Vceo
20V
Antal terminaler
3
Bemærk
serigrafi/SMD-kode G1p, G1t, G1W
Driftstemperatur
-65...+150°C
FT
450 MHz
Funktion
IF og VHF tyk- og tyndfilmskredsløb
Halvledermateriale
silicium
Ic (puls)
25mA
Max hFE-forstærkning
140
Minimum hFE-forstærkning
40
Montering / installation
overflademonteret komponent (SMD)
Mængde pr tilfælde
1
Mærkning på kabinettet
G1*
Pd (Strømafledning, maks.) )
200mW
RoHS
ja
Type transistor
NPN
Vcbo
30 v
Vebo
4 v
Originalt produkt fra producenten
Diodes Inc
Minimumsmængde
10