NPN transistor BU2520DF-PHI, 10A, SOT-199, SOT-199, 800V

NPN transistor BU2520DF-PHI, 10A, SOT-199, SOT-199, 800V

Antal
Enhedspris
1-4
20.33kr
5-24
17.68kr
25-49
15.78kr
50+
13.97kr
Antal på lager: 311

NPN transistor BU2520DF-PHI, 10A, SOT-199, SOT-199, 800V. Kollektorstrøm: 10A. Hus: SOT-199. Hus (i henhold til datablad): SOT-199. Kollektor/emitterspænding Vceo: 800V. Antal terminaler: 3. Bemærk: Isolationsspænding 2500V. FT: kHz. Funktion: Højspændings-, højhastigheds-omskiftning. Halvledermateriale: silicium. Ic (puls): 25A. Max hFE-forstærkning: 13. Minimum hFE-forstærkning: 5. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort. Mængde pr tilfælde: 1. Mætningsspænding VCE (sat): 5V. Pd (Strømafledning, maks.) ): 45W. Spec info: Switching times (16kHz line deflection circuit). Teknologi: Power transistor. Temperatur: +150°C. Tf (maks.): 0.5us. Tf (min): 0.35us. Type transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Vebo: 13.5V. Originalt produkt fra producenten: Philips Semiconductors. Antal på lager opdateret den 13/11/2025, 12:31

Teknisk dokumentation (PDF)
BU2520DF-PHI
25 parametre
Kollektorstrøm
10A
Hus
SOT-199
Hus (i henhold til datablad)
SOT-199
Kollektor/emitterspænding Vceo
800V
Antal terminaler
3
Bemærk
Isolationsspænding 2500V
FT
kHz
Funktion
Højspændings-, højhastigheds-omskiftning
Halvledermateriale
silicium
Ic (puls)
25A
Max hFE-forstærkning
13
Minimum hFE-forstærkning
5
Montering / installation
Gennemgående hulmontering af printkort
Mængde pr tilfælde
1
Mætningsspænding VCE (sat)
5V
Pd (Strømafledning, maks.) )
45W
Spec info
Switching times (16kHz line deflection circuit)
Teknologi
Power transistor
Temperatur
+150°C
Tf (maks.)
0.5us
Tf (min)
0.35us
Type transistor
NPN
Vcbo
1500V
Vebo
13.5V
Originalt produkt fra producenten
Philips Semiconductors