NPN transistor BU808DFX, 8A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), ISOWATT218FX, 700V

NPN transistor BU808DFX, 8A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), ISOWATT218FX, 700V

Antal
Enhedspris
1-4
64.59kr
5-9
59.15kr
10-24
54.04kr
25-49
50.76kr
50+
45.07kr
Ækvivalens tilgængelig
Antal på lager: 7

NPN transistor BU808DFX, 8A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), ISOWATT218FX, 700V. Kollektorstrøm: 8A. Hus: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Hus (i henhold til datablad): ISOWATT218FX. Kollektor/emitterspænding Vceo: 700V. Antal terminaler: 2. BE-modstand: 42 Ohms. Darlington-transistor?: ja. FT: kHz. Halvledermateriale: silicium. Ic (puls): 10A. Max hFE-forstærkning: 230. Minimum hFE-forstærkning: 60. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort. Mængde pr tilfælde: 2. Mætningsspænding VCE (sat): 1.6V. Pd (Strømafledning, maks.) ): 62W. RoHS: ja. Spec info: ICM--(tp < 5ms). Temperatur: +150°C. Tf (maks.): 0.8us. Tf (min): 0.2us. Type transistor: NPN. Vcbo: 1400V. Vebo: 5V. Originalt produkt fra producenten: Stmicroelectronics. Antal på lager opdateret den 13/11/2025, 12:31

Teknisk dokumentation (PDF)
BU808DFX
25 parametre
Kollektorstrøm
8A
Hus
TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)
Hus (i henhold til datablad)
ISOWATT218FX
Kollektor/emitterspænding Vceo
700V
Antal terminaler
2
BE-modstand
42 Ohms
Darlington-transistor?
ja
FT
kHz
Halvledermateriale
silicium
Ic (puls)
10A
Max hFE-forstærkning
230
Minimum hFE-forstærkning
60
Montering / installation
Gennemgående hulmontering af printkort
Mængde pr tilfælde
2
Mætningsspænding VCE (sat)
1.6V
Pd (Strømafledning, maks.) )
62W
RoHS
ja
Spec info
ICM--(tp < 5ms)
Temperatur
+150°C
Tf (maks.)
0.8us
Tf (min)
0.2us
Type transistor
NPN
Vcbo
1400V
Vebo
5V
Originalt produkt fra producenten
Stmicroelectronics

Tilsvarende produkter og/eller tilbehør til BU808DFX