NPN transistor BUB323ZG, 10A, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 350V

NPN transistor BUB323ZG, 10A, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 350V

Antal
Enhedspris
1-4
41.74kr
5-24
36.93kr
25-49
32.76kr
50+
30.58kr
Antal på lager: 6

NPN transistor BUB323ZG, 10A, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 350V. Kollektorstrøm: 10A. Hus: D2PAK ( TO-263 ). Hus (i henhold til datablad): D2PAK ( TO-263 ). Kollektor/emitterspænding Vceo: 350V. Darlington-transistor?: ja. Funktion: efterårstid 625ns. Halvledermateriale: silicium. Max hFE-forstærkning: 3400. Minimum hFE-forstærkning: 500. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD). Mængde pr tilfælde: 1. Spec info: 360-450V Clamping. Type transistor: NPN. Originalt produkt fra producenten: ON Semiconductor. Antal på lager opdateret den 13/11/2025, 12:31

Teknisk dokumentation (PDF)
BUB323ZG
14 parametre
Kollektorstrøm
10A
Hus
D2PAK ( TO-263 )
Hus (i henhold til datablad)
D2PAK ( TO-263 )
Kollektor/emitterspænding Vceo
350V
Darlington-transistor?
ja
Funktion
efterårstid 625ns
Halvledermateriale
silicium
Max hFE-forstærkning
3400
Minimum hFE-forstærkning
500
Montering / installation
overflademonteret komponent (SMD)
Mængde pr tilfælde
1
Spec info
360-450V Clamping
Type transistor
NPN
Originalt produkt fra producenten
ON Semiconductor