| +1 hurtigt | |
| Antal på lager: 485 |
NPN transistor BUL45GD2G, 5A, TO-220, TO220AB CASE 221A-09, 400V
Antal
Enhedspris
1-4
17.70kr
5-9
15.60kr
10-24
14.31kr
25-49
13.42kr
50+
11.86kr
| Ækvivalens tilgængelig | |
| Antal på lager: 51 |
NPN transistor BUL45GD2G, 5A, TO-220, TO220AB CASE 221A-09, 400V. Kollektorstrøm: 5A. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO220AB CASE 221A-09. Kollektor/emitterspænding Vceo: 400V. BE-diode: ingen. CE-diode: ja. FT: 13 MHz. Funktion: High-speed, high-gain, bipolær NPN-effekttransistor. Halvledermateriale: silicium. Ic (puls): 10A. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 0.4V. Max hFE-forstærkning: 34. Minimum hFE-forstærkning: 22. Mængde pr tilfælde: 1. Mætningsspænding VCE (sat): 0.28V. Omkostninger): 50pF. Pd (Strømafledning, maks.) ): 75W. RoHS: ja. Spec info: Built-in Efficient Antisaturation Network. Type transistor: NPN. Vcbo: 700V. Vebo: 12V. Originalt produkt fra producenten: ON Semiconductor. Antal på lager opdateret den 13/11/2025, 08:57
BUL45GD2G
23 parametre
Kollektorstrøm
5A
Hus
TO-220
Hus (i henhold til datablad)
TO220AB CASE 221A-09
Kollektor/emitterspænding Vceo
400V
BE-diode
ingen
CE-diode
ja
FT
13 MHz
Funktion
High-speed, high-gain, bipolær NPN-effekttransistor
Halvledermateriale
silicium
Ic (puls)
10A
Maksimal mætningsspænding VCE (sat)
0.4V
Max hFE-forstærkning
34
Minimum hFE-forstærkning
22
Mængde pr tilfælde
1
Mætningsspænding VCE (sat)
0.28V
Omkostninger)
50pF
Pd (Strømafledning, maks.) )
75W
RoHS
ja
Spec info
Built-in Efficient Antisaturation Network
Type transistor
NPN
Vcbo
700V
Vebo
12V
Originalt produkt fra producenten
ON Semiconductor