NPN transistor DTC143TT, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V

NPN transistor DTC143TT, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V

Antal
Enhedspris
10-24
0.48kr
25-49
0.43kr
50-99
0.38kr
100+
0.29kr
Antal på lager: 2782
Minimum: 10

NPN transistor DTC143TT, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V. Kollektorstrøm: 100mA. Hus: SOT-23 ( TO-236 ). Hus (i henhold til datablad): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor/emitterspænding Vceo: 50V. Antal terminaler: 3. BE-diode: ingen. BE-modstand: -. Bemærk: serigrafi/SMD-kode 33. CE-diode: ingen. Driftstemperatur: -65...+150°C. FT: kHz. Funktion: Transistor med indbygget forspændingsmodstand. Halvledermateriale: silicium. Minimum hFE-forstærkning: 200. Modstand B: 4.7k Ohms. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD). Mængde pr tilfælde: 1. Mærkning på kabinettet: *33, P33, t33, w33. Mætningsspænding VCE (sat): 0.1V. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.25W. RoHS: ja. Spec info: R1 typ=4.7k Ohms, R2 typ=NC (open). Type transistor: NPN. Vcbo: 50V. Vebo: 5V. Originalt produkt fra producenten: Philips Semiconductors. Minimumsmængde: 10. Antal på lager opdateret den 13/11/2025, 18:16

DTC143TT
26 parametre
Kollektorstrøm
100mA
Hus
SOT-23 ( TO-236 )
Hus (i henhold til datablad)
SOT-23 ( TO236 )
Kollektor/emitterspænding Vceo
50V
Antal terminaler
3
BE-diode
ingen
Bemærk
serigrafi/SMD-kode 33
CE-diode
ingen
Driftstemperatur
-65...+150°C
FT
kHz
Funktion
Transistor med indbygget forspændingsmodstand
Halvledermateriale
silicium
Minimum hFE-forstærkning
200
Modstand B
4.7k Ohms
Montering / installation
overflademonteret komponent (SMD)
Mængde pr tilfælde
1
Mærkning på kabinettet
*33, P33, t33, w33
Mætningsspænding VCE (sat)
0.1V
Pd (Strømafledning, maks.) )
0.25W
RoHS
ja
Spec info
R1 typ=4.7k Ohms, R2 typ=NC (open)
Type transistor
NPN
Vcbo
50V
Vebo
5V
Originalt produkt fra producenten
Philips Semiconductors
Minimumsmængde
10