NPN transistor MJ11016G, TO-3 ( TO-204 ), 30A, 30A, TO-3 ( TO-204 ), 120V

NPN transistor MJ11016G, TO-3 ( TO-204 ), 30A, 30A, TO-3 ( TO-204 ), 120V

Antal
Enhedspris
1-4
110.70kr
5-9
104.40kr
10-24
100.39kr
25-49
97.41kr
50+
91.82kr
+21 ekstra varer tilgængelige på lager (leveres inden for 4 timer). Kontakt os for priser og tilgængelighed!
Antal på lager: 15

NPN transistor MJ11016G, TO-3 ( TO-204 ), 30A, 30A, TO-3 ( TO-204 ), 120V. Hus: TO-3 ( TO-204 ). Samlerstrøm Ic [A], max.: 30A. Kollektorstrøm: 30A. Hus (i henhold til datablad): TO-3 ( TO-204 ). Kollektor/emitterspænding Vceo: 120V. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: -. Antal terminaler: 2. Antal terminaler: 3. BE-diode: ingen. Bemærk: 8k Ohms (R1), 40 Ohms (R2). C (i): 4pF. CE-diode: ingen. Darlington-transistor?: ja. Driftstemperatur: -55...+200°C. FT: 4 MHz. Halvledermateriale: silicium. Hus (JEDEC-standard): TO-204AA. Komponentfamilie: Darlington NPN Power Transistor. Konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort. Maksimal dissipation Ptot [W]: 200W. Max temperatur: +200°C.. Minimum hFE-forstærkning: 1000. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort. Mængde pr tilfælde: 1. Mætningsspænding VCE (sat): 3V. Pd (Strømafledning, maks.) ): 200W. Producentens mærkning: MJ11016G. RoHS: ja. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 120V. Spec info: komplementær transistor (par) MJ11015. Type transistor: NPN. Vcbo: 120V. Vebo: 5V. Originalt produkt fra producenten: ON Semiconductor. Antal på lager opdateret den 06/11/2025, 09:45

Teknisk dokumentation (PDF)
MJ11016G
33 parametre
Hus
TO-3 ( TO-204 )
Samlerstrøm Ic [A], max.
30A
Kollektorstrøm
30A
Hus (i henhold til datablad)
TO-3 ( TO-204 )
Kollektor/emitterspænding Vceo
120V
Antal terminaler
2
Antal terminaler
3
BE-diode
ingen
Bemærk
8k Ohms (R1), 40 Ohms (R2)
C (i)
4pF
CE-diode
ingen
Darlington-transistor?
ja
Driftstemperatur
-55...+200°C
FT
4 MHz
Halvledermateriale
silicium
Hus (JEDEC-standard)
TO-204AA
Komponentfamilie
Darlington NPN Power Transistor
Konfiguration
Gennemgående hulmontering af printkort
Maksimal dissipation Ptot [W]
200W
Max temperatur
+200°C.
Minimum hFE-forstærkning
1000
Montering / installation
Gennemgående hulmontering af printkort
Mængde pr tilfælde
1
Mætningsspænding VCE (sat)
3V
Pd (Strømafledning, maks.) )
200W
Producentens mærkning
MJ11016G
RoHS
ja
Samler-emitter spænding Uceo [V]
120V
Spec info
komplementær transistor (par) MJ11015
Type transistor
NPN
Vcbo
120V
Vebo
5V
Originalt produkt fra producenten
ON Semiconductor