NPN transistor MJE13007, TO-220, 8A, TO-220AB, 400V

NPN transistor MJE13007, TO-220, 8A, TO-220AB, 400V

Antal
Enhedspris
1-4
13.46kr
5-49
11.58kr
50-99
10.29kr
100-199
9.36kr
200+
8.00kr
Ækvivalens tilgængelig
Antal på lager: 87

NPN transistor MJE13007, TO-220, 8A, TO-220AB, 400V. Hus: TO-220. Kollektorstrøm: 8A. Hus (i henhold til datablad): TO-220AB. Kollektor/emitterspænding Vceo: 400V. Antal terminaler: 3. BE-diode: ingen. CE-diode: ingen. Collector Current IC [A]: 8A. Driftstemperatur: -65...+150°C. Effekt: 80W. FT: 14 MHz. Funktion: skifte kredsløb. Halvledermateriale: silicium. Ic (puls): 16A. Max hFE-forstærkning: 40. Minimum hFE-forstærkning: 8:1. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort. Mængde pr tilfælde: 1. Mætningsspænding VCE (sat): 1V. Omkostninger): 80pF. Pd (Strømafledning, maks.) ): 80W. Polaritet: bipolar. RoHS: ja. Spec info: Switching med høj hastighed. Spænding (samler - emitter): 400V. Teknologi: Bipolær krafttransistor. Tf (maks.): 0.7us. Tf (min): 0.23us. Type transistor: NPN. Vcbo: 700V. Vebo: 9V. Originalt produkt fra producenten: ON Semiconductor. Antal på lager opdateret den 13/11/2025, 05:05

MJE13007
32 parametre
Hus
TO-220
Kollektorstrøm
8A
Hus (i henhold til datablad)
TO-220AB
Kollektor/emitterspænding Vceo
400V
Antal terminaler
3
BE-diode
ingen
CE-diode
ingen
Collector Current IC [A]
8A
Driftstemperatur
-65...+150°C
Effekt
80W
FT
14 MHz
Funktion
skifte kredsløb
Halvledermateriale
silicium
Ic (puls)
16A
Max hFE-forstærkning
40
Minimum hFE-forstærkning
8:1
Montering / installation
Gennemgående hulmontering af printkort
Mængde pr tilfælde
1
Mætningsspænding VCE (sat)
1V
Omkostninger)
80pF
Pd (Strømafledning, maks.) )
80W
Polaritet
bipolar
RoHS
ja
Spec info
Switching med høj hastighed
Spænding (samler - emitter)
400V
Teknologi
Bipolær krafttransistor
Tf (maks.)
0.7us
Tf (min)
0.23us
Type transistor
NPN
Vcbo
700V
Vebo
9V
Originalt produkt fra producenten
ON Semiconductor

Tilsvarende produkter og/eller tilbehør til MJE13007