NPN transistor MJE15032G, 250V, TO-220, 8A, 8A, TO-220AB, 250V. Collector-Emitter Spænding VCEO: 250V. Hus: TO-220. Kollektorstrøm: 8A. Samlerstrøm Ic [A], max.: 8A. Hus (i henhold til datablad): TO-220AB. Kollektor/emitterspænding Vceo: 250V. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 30 MHz. Antal terminaler: 3. Antal terminaler: 3. BE-diode: ingen. Båndbredde MHz: 30MHz. CE-diode: ingen. Collector-basis spænding VCBO: 250V. DC Collector/Base Gain HFE Min.: 10. Driftstemperatur: -65...+150°C. Effekt: 50W. FT: 30 MHz. Funktion: til lydforstærker. Halvledermateriale: silicium. Hus (JEDEC-standard): TO-220. Ic (puls): 16A. Information: -. Komponentfamilie: højspændings NPN transistor. Konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort. MSL: -. Maksimal dissipation Ptot [W]: 50W. Maksimal frekvens: 30MHz. Max hFE-forstærkning: 50. Max temperatur: +150°C.. Minimum hFE-forstærkning: 10. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort. Monteringstype: Gennemgående hulmontering af printkort. Mængde pr tilfælde: 1. Mætningsspænding VCE (sat): 0.5V. Nuværende Max 1: 8A. Omkostninger): 4pF. Pd (Strømafledning, maks.) ): 50W. Polaritet: NPN. Producentens mærkning: MJE15032G. RoHS: ja. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 250V. Spec info: komplementær transistor (par) MJE15033. Type transistor: NPN. Type: Effekt. Vcbo: 250V. Vebo: 5V. Originalt produkt fra producenten: ON Semiconductor. Antal på lager opdateret den 31/10/2025, 08:52