NPN transistor MJE18008, 8A, TO-220, TO-220AB, 450V

NPN transistor MJE18008, 8A, TO-220, TO-220AB, 450V

Antal
Enhedspris
1-4
24.93kr
5-24
21.67kr
25-49
19.34kr
50+
18.65kr
Antal på lager: 11

NPN transistor MJE18008, 8A, TO-220, TO-220AB, 450V. Kollektorstrøm: 8A. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220AB. Kollektor/emitterspænding Vceo: 450V. BE-diode: ingen. C (i): 1750pF. CE-diode: ingen. Driftstemperatur: -60...+150°C. FT: 13MHz. Funktion: Skiftende strømforsyningsapplikationer. Halvledermateriale: silicium. Ic (puls): 16A. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 0.6V. Max hFE-forstærkning: 14. Minimum hFE-forstærkning: 34. Mængde pr tilfælde: 1. Mætningsspænding VCE (sat): 0.3V. Omkostninger): 100pF. Pd (Strømafledning, maks.) ): 120W. RoHS: ja. Type transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Originalt produkt fra producenten: ON Semiconductor. Antal på lager opdateret den 01/01/2026, 02:01

MJE18008
23 parametre
Kollektorstrøm
8A
Hus
TO-220
Hus (i henhold til datablad)
TO-220AB
Kollektor/emitterspænding Vceo
450V
BE-diode
ingen
C (i)
1750pF
CE-diode
ingen
Driftstemperatur
-60...+150°C
FT
13MHz
Funktion
Skiftende strømforsyningsapplikationer
Halvledermateriale
silicium
Ic (puls)
16A
Maksimal mætningsspænding VCE (sat)
0.6V
Max hFE-forstærkning
14
Minimum hFE-forstærkning
34
Mængde pr tilfælde
1
Mætningsspænding VCE (sat)
0.3V
Omkostninger)
100pF
Pd (Strømafledning, maks.) )
120W
RoHS
ja
Type transistor
NPN
Vcbo
1000V
Originalt produkt fra producenten
ON Semiconductor