NPN transistor MJE243G, 100V, TO-126 (TO-225, SOT-32), 4mA, 4A, TO-225, 100V. Collector-Emitter Spænding VCEO: 100V. Hus: TO-126 (TO-225, SOT-32). Samlerstrøm Ic [A], max.: 4mA. Kollektorstrøm: 4A. Hus (i henhold til datablad): TO-225. Kollektor/emitterspænding Vceo: 100V. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 40 MHz. Antal terminaler: 3. Antal terminaler: 3. BE-diode: ingen. CE-diode: ingen. Driftstemperatur: -65...+150°C. Effekt: 15W. FT: 40 MHz. Funktion: Højhastighedsskift, Lyd. Halvledermateriale: silicium. Hus (JEDEC-standard): TO-225. Ic (puls): 8A. Komponentfamilie: NPN Power Transistor. Konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.015W. Maksimal frekvens: 40MHz. Max hFE-forstærkning: 180. Max temperatur: +150°C.. Minimum hFE-forstærkning: 40. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort. Mængde pr tilfælde: 1. Mætningsspænding VCE (sat): 0.3V. Pd (Strømafledning, maks.) ): 15W. Polaritet: NPN. Producentens mærkning: MJE243G. RoHS: ja. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 100V. Spec info: komplementær transistor (par) MJE253. Type transistor: NPN. Vcbo: 100V. Vebo: 7V. Originalt produkt fra producenten: ON Semiconductor. Antal på lager opdateret den 31/10/2025, 09:27