NPN transistor MJE3055T-FAI, 10A, TO-220, TO-220AB, 60V

NPN transistor MJE3055T-FAI, 10A, TO-220, TO-220AB, 60V

Antal
Enhedspris
1-4
7.24kr
5-24
6.06kr
25-49
5.30kr
50-99
4.83kr
100+
4.14kr
Ækvivalens tilgængelig
Antal på lager: 46

NPN transistor MJE3055T-FAI, 10A, TO-220, TO-220AB, 60V. Kollektorstrøm: 10A. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220AB. Kollektor/emitterspænding Vceo: 60V. Antal terminaler: 3. BE-diode: ingen. CE-diode: ingen. Driftstemperatur: -55...+150°C. FT: 2 MHz. Funktion: NF-L. Halvledermateriale: silicium. Konditionering: plastrør. Konditioneringsenhed: 50. Max hFE-forstærkning: 70. Minimum hFE-forstærkning: 20. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort. Mængde pr tilfælde: 1. Mætningsspænding VCE (sat): 1.1V. Pd (Strømafledning, maks.) ): 75W. RoHS: ja. Spec info: komplementær transistor (par) MJE2955T. Teknologi: Epitaxial-Base. Type transistor: NPN. Vcbo: 70V. Vebo: 5V. Originalt produkt fra producenten: Fairchild. Antal på lager opdateret den 31/10/2025, 09:27

MJE3055T-FAI
26 parametre
Kollektorstrøm
10A
Hus
TO-220
Hus (i henhold til datablad)
TO-220AB
Kollektor/emitterspænding Vceo
60V
Antal terminaler
3
BE-diode
ingen
CE-diode
ingen
Driftstemperatur
-55...+150°C
FT
2 MHz
Funktion
NF-L
Halvledermateriale
silicium
Konditionering
plastrør
Konditioneringsenhed
50
Max hFE-forstærkning
70
Minimum hFE-forstærkning
20
Montering / installation
Gennemgående hulmontering af printkort
Mængde pr tilfælde
1
Mætningsspænding VCE (sat)
1.1V
Pd (Strømafledning, maks.) )
75W
RoHS
ja
Spec info
komplementær transistor (par) MJE2955T
Teknologi
Epitaxial-Base
Type transistor
NPN
Vcbo
70V
Vebo
5V
Originalt produkt fra producenten
Fairchild

Tilsvarende produkter og/eller tilbehør til MJE3055T-FAI