NPN transistor MMBT2907ALT1G, 0.6A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 60V

NPN transistor MMBT2907ALT1G, 0.6A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 60V

Antal
Enhedspris
10-49
0.23kr
50-99
0.19kr
100+
0.18kr
Antal på lager: 1009
Minimum: 10

NPN transistor MMBT2907ALT1G, 0.6A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 60V. Kollektorstrøm: 0.6A. Hus: SOT-23 ( TO-236 ). Hus (i henhold til datablad): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor/emitterspænding Vceo: 60V. Antal terminaler: 3. BE-diode: ingen. CE-diode: ingen. Driftstemperatur: -55...+150°C. FT: 200 MHz. Halvledermateriale: silicium. Ic (puls): 1.2A. Max hFE-forstærkning: 300. Minimum hFE-forstærkning: 100. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD). Mængde pr tilfælde: 1. Mærkning på kabinettet: 2F. Mætningsspænding VCE (sat): 0.4V. Omkostninger): 1.6pF. Pd (Strømafledning, maks.) ): 225mW. RoHS: ja. Spec info: SMD '2F'. Type transistor: NPN. Vcbo: 60V. Vebo: 5V. Originalt produkt fra producenten: ON Semiconductor. Minimumsmængde: 10. Antal på lager opdateret den 13/11/2025, 18:37

Teknisk dokumentation (PDF)
MMBT2907ALT1G
26 parametre
Kollektorstrøm
0.6A
Hus
SOT-23 ( TO-236 )
Hus (i henhold til datablad)
SOT-23 ( TO236 )
Kollektor/emitterspænding Vceo
60V
Antal terminaler
3
BE-diode
ingen
CE-diode
ingen
Driftstemperatur
-55...+150°C
FT
200 MHz
Halvledermateriale
silicium
Ic (puls)
1.2A
Max hFE-forstærkning
300
Minimum hFE-forstærkning
100
Montering / installation
overflademonteret komponent (SMD)
Mængde pr tilfælde
1
Mærkning på kabinettet
2F
Mætningsspænding VCE (sat)
0.4V
Omkostninger)
1.6pF
Pd (Strømafledning, maks.) )
225mW
RoHS
ja
Spec info
SMD '2F'
Type transistor
NPN
Vcbo
60V
Vebo
5V
Originalt produkt fra producenten
ON Semiconductor
Minimumsmængde
10