NPN transistor MMBT4401LT1G, 0.6A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 40V

NPN transistor MMBT4401LT1G, 0.6A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 40V

Antal
Enhedspris
10-49
0.27kr
50-99
0.23kr
100+
0.20kr
Antal på lager: 1003
Minimum: 10

NPN transistor MMBT4401LT1G, 0.6A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 40V. Kollektorstrøm: 0.6A. Hus: SOT-23 ( TO-236 ). Hus (i henhold til datablad): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor/emitterspænding Vceo: 40V. Antal terminaler: 3. BE-diode: ingen. CE-diode: ingen. Driftstemperatur: -55...+150°C. FT: 250 MHz. Funktion: Skiftende transistor. Halvledermateriale: silicium. Ic (puls): 0.9A. Konditionering: rulle. Konditioneringsenhed: 3000. Max hFE-forstærkning: 300. Minimum hFE-forstærkning: 20. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD). Mængde pr tilfælde: 1. Mærkning på kabinettet: 2x. Mætningsspænding VCE (sat): 0.4V. Omkostninger): 80pF. Pd (Strømafledning, maks.) ): 300mW. RoHS: ja. Spec info: serigrafi/CMS-kode 2X. Tf (maks.): 30 ns. Type transistor: NPN. Vcbo: 60V. Vebo: 6V. Originalt produkt fra producenten: ON Semiconductor. Minimumsmængde: 10. Antal på lager opdateret den 13/11/2025, 18:37

MMBT4401LT1G
30 parametre
Kollektorstrøm
0.6A
Hus
SOT-23 ( TO-236 )
Hus (i henhold til datablad)
SOT-23 ( TO236 )
Kollektor/emitterspænding Vceo
40V
Antal terminaler
3
BE-diode
ingen
CE-diode
ingen
Driftstemperatur
-55...+150°C
FT
250 MHz
Funktion
Skiftende transistor
Halvledermateriale
silicium
Ic (puls)
0.9A
Konditionering
rulle
Konditioneringsenhed
3000
Max hFE-forstærkning
300
Minimum hFE-forstærkning
20
Montering / installation
overflademonteret komponent (SMD)
Mængde pr tilfælde
1
Mærkning på kabinettet
2x
Mætningsspænding VCE (sat)
0.4V
Omkostninger)
80pF
Pd (Strømafledning, maks.) )
300mW
RoHS
ja
Spec info
serigrafi/CMS-kode 2X
Tf (maks.)
30 ns
Type transistor
NPN
Vcbo
60V
Vebo
6V
Originalt produkt fra producenten
ON Semiconductor
Minimumsmængde
10