NPN transistor MMBT5401, SOT-23 ( TO-236 ), 600mA, 0.5A, SOT-23 ( TO236 ), 150V. Hus: SOT-23 ( TO-236 ). Samlerstrøm Ic [A], max.: 600mA. Kollektorstrøm: 0.5A. Hus (i henhold til datablad): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor/emitterspænding Vceo: 150V. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 100 MHz. Antal terminaler: 3. Antal terminaler: 3. BE-diode: ingen. CE-diode: ingen. Collector Current IC [A]: 0.6A. Driftstemperatur: -55...+150°C. Effekt: 350mW. FT: 100 MHz. Halvledermateriale: silicium. Hus (JEDEC-standard): TO-236. Komponentfamilie: PNP transistor. Konditioneringsenhed: 3000. Konfiguration: overflademonteret komponent (SMD). Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.250W. Max hFE-forstærkning: 240. Max temperatur: +150°C.. Minimum hFE-forstærkning: 50. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD). Mængde pr tilfælde: 1. Mærkning på kabinettet: 2 L. Mætningsspænding VCE (sat): 0.2V. Omkostninger): 6pF. Pd (Strømafledning, maks.) ): 300mW. Polaritet: bipolar. Producentens mærkning: 2L. RoHS: ja. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 150V. Spec info: serigrafi/SMD-kode (2Lx datokode). Spænding (samler - emitter): 150V. Type transistor: NPN. Vcbo: 160V. Vebo: 5V. Ækvivalenter: MMBT5401LT1G. Originalt produkt fra producenten: Diotec Semiconductor. Minimumsmængde: 10. Antal på lager opdateret den 13/11/2025, 18:37