NPN transistor MMSS8050-H, 1.5A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 25V
Antal
Enhedspris
10-49
0.80kr
50-99
0.68kr
100-199
0.58kr
200+
0.44kr
| Antal på lager: 1411 |
NPN transistor MMSS8050-H, 1.5A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 25V. Kollektorstrøm: 1.5A. Hus: SOT-23 ( TO-236 ). Hus (i henhold til datablad): SOT-23. Kollektor/emitterspænding Vceo: 25V. BE-diode: ingen. CE-diode: ingen. FT: 100 MHz. Funktion: -. Halvledermateriale: silicium. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 0.5V. Max hFE-forstærkning: 350. Minimum hFE-forstærkning: 200. Mængde pr tilfælde: 1. Mærkning på kabinettet: Y1. Omkostninger): 9pF. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.3W. Spec info: -. Teknologi: Epitaksial siliciumtransistor. Type transistor: NPN. Vcbo: 40V. Vebo: 6V. Originalt produkt fra producenten: M.c.c. Minimumsmængde: 10. Antal på lager opdateret den 13/11/2025, 18:37
MMSS8050-H
21 parametre
Kollektorstrøm
1.5A
Hus
SOT-23 ( TO-236 )
Hus (i henhold til datablad)
SOT-23
Kollektor/emitterspænding Vceo
25V
BE-diode
ingen
CE-diode
ingen
FT
100 MHz
Halvledermateriale
silicium
Maksimal mætningsspænding VCE (sat)
0.5V
Max hFE-forstærkning
350
Minimum hFE-forstærkning
200
Mængde pr tilfælde
1
Mærkning på kabinettet
Y1
Omkostninger)
9pF
Pd (Strømafledning, maks.) )
0.3W
Teknologi
Epitaksial siliciumtransistor
Type transistor
NPN
Vcbo
40V
Vebo
6V
Originalt produkt fra producenten
M.c.c
Minimumsmængde
10