NPN transistor MUN2212, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SC-59 ( 2.9x1.5x1.15mm ), 50V

NPN transistor MUN2212, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SC-59 ( 2.9x1.5x1.15mm ), 50V

Antal
Enhedspris
1-4
3.41kr
5-9
2.58kr
10-24
2.33kr
25+
2.08kr
Antal på lager: 2893

NPN transistor MUN2212, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SC-59 ( 2.9x1.5x1.15mm ), 50V. Kollektorstrøm: 0.1A. Hus: SOT-23 ( TO-236 ). Hus (i henhold til datablad): SC-59 ( 2.9x1.5x1.15mm ). Kollektor/emitterspænding Vceo: 50V. Antal terminaler: 3. BE-diode: ingen. Bemærk: B1GBCFLL0035. CE-diode: ingen. FT: kHz. Funktion: transistor med bias modstand netværk. Halvledermateriale: silicium. Max hFE-forstærkning: 100. Minimum hFE-forstærkning: 60. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD). Mængde pr tilfælde: 1. Mærkning på kabinettet: 8B. Pd (Strømafledning, maks.) ): 338mW. RoHS: ja. Spec info: serigrafi/SMD-kode 8B. Teknologi: Digitale transistorer (BRT). Temperatur: +150°C. Type transistor: NPN. Vcbo: 50V. Originalt produkt fra producenten: ON Semiconductor. Antal på lager opdateret den 13/11/2025, 07:07

MUN2212
24 parametre
Kollektorstrøm
0.1A
Hus
SOT-23 ( TO-236 )
Hus (i henhold til datablad)
SC-59 ( 2.9x1.5x1.15mm )
Kollektor/emitterspænding Vceo
50V
Antal terminaler
3
BE-diode
ingen
Bemærk
B1GBCFLL0035
CE-diode
ingen
FT
kHz
Funktion
transistor med bias modstand netværk
Halvledermateriale
silicium
Max hFE-forstærkning
100
Minimum hFE-forstærkning
60
Montering / installation
overflademonteret komponent (SMD)
Mængde pr tilfælde
1
Mærkning på kabinettet
8B
Pd (Strømafledning, maks.) )
338mW
RoHS
ja
Spec info
serigrafi/SMD-kode 8B
Teknologi
Digitale transistorer (BRT)
Temperatur
+150°C
Type transistor
NPN
Vcbo
50V
Originalt produkt fra producenten
ON Semiconductor