NPN transistor PMBT4401, 0.6A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 40V

NPN transistor PMBT4401, 0.6A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 40V

Antal
Enhedspris
10-24
0.62kr
25-49
0.56kr
50-99
0.53kr
100+
0.41kr
Antal på lager: 51
Minimum: 10

NPN transistor PMBT4401, 0.6A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 40V. Kollektorstrøm: 0.6A. Hus: SOT-23 ( TO-236 ). Hus (i henhold til datablad): SOT-23. Kollektor/emitterspænding Vceo: 40V. BE-diode: ingen. C (i): 30pF. CE-diode: ingen. Driftstemperatur: -65...+150°C. FT: 250 MHz. Funktion: Switching med høj hastighed. Halvledermateriale: silicium. Ic (puls): 0.8A. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 0.75V. Max hFE-forstærkning: 300. Minimum hFE-forstærkning: 100. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD). Mængde pr tilfælde: 1. Mærkning på kabinettet: p2X, t2X, W2X. Mætningsspænding VCE (sat): 0.4V. Omkostninger): 8pF. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.25W. Spec info: serigrafi/SMD-kode P2X, T2X, W2X, komplementær transistor (par) PMBT4401. Type transistor: NPN. Vcbo: 60V. Vebo: 6V. Originalt produkt fra producenten: Nxp Semiconductors. Minimumsmængde: 10. Antal på lager opdateret den 13/11/2025, 02:22

Teknisk dokumentation (PDF)
PMBT4401
27 parametre
Kollektorstrøm
0.6A
Hus
SOT-23 ( TO-236 )
Hus (i henhold til datablad)
SOT-23
Kollektor/emitterspænding Vceo
40V
BE-diode
ingen
C (i)
30pF
CE-diode
ingen
Driftstemperatur
-65...+150°C
FT
250 MHz
Funktion
Switching med høj hastighed
Halvledermateriale
silicium
Ic (puls)
0.8A
Maksimal mætningsspænding VCE (sat)
0.75V
Max hFE-forstærkning
300
Minimum hFE-forstærkning
100
Montering / installation
overflademonteret komponent (SMD)
Mængde pr tilfælde
1
Mærkning på kabinettet
p2X, t2X, W2X
Mætningsspænding VCE (sat)
0.4V
Omkostninger)
8pF
Pd (Strømafledning, maks.) )
0.25W
Spec info
serigrafi/SMD-kode P2X, T2X, W2X, komplementær transistor (par) PMBT4401
Type transistor
NPN
Vcbo
60V
Vebo
6V
Originalt produkt fra producenten
Nxp Semiconductors
Minimumsmængde
10